Лекции по "Кристаллографии и методы исследования структур"

Автор: Пользователь скрыл имя, 27 Сентября 2011 в 13:48, курс лекций

Описание работы

Предлагаемый конспект лекций содержит основные понятия кристаллографии, рассматривает основы структурного анализа. Конспект представляет первую часть излагаемого курса “Кристаллография и структурный анализ полупроводниковых материалов” и является дополнением к читаемому курсу “Технология материалов и элементов электронной техники”, что необходимо при подготовке специалистов направления 550700 Электроника и микроэлектроника. Курс лекций обеспечивает проведение практических занятий со студентами при ознакомлении их с экспериментальными методами исследования структуры полупроводников.

Работа содержит 1 файл

Konspekt.doc

— 1.54 Мб (Скачать)

      Международное обозначение кристалла иное. Первая буква указывает тип пространственной решетки Бравэ, которую имеет  данный кристалл. Далее указываются  основные элементы симметрии. Например: I 3/m    объемноцентрированная решетка, где I - объемноцентрированная решетка,  - инверсионная ось 4-го порядка, 3/m - поворотная ось 3-го порядка или перпендикулярная к ней плоскость симметрии.

      По  совокупности этих элементов симметрии можно установить к какой сингонии относится данный кристалл. В каждой сингонии принята своя последовательность в расположении элементов симметрии в формуле кристалла. 

1.9. Кристаллографические  индексы  

      Для того чтобы определить положение  отдельных узлов, а также прямых и плоскостей, проходящих через эти узлы в пространственной решетке, в кристаллографии приняты специальные обозначения. Эти обозначения в настоящее время стандартизованы и носят название кристаллографических индексов.

      Известно, что положение точки в пространстве, или узла в элементарной ячейке, можно задать тремя координатами, относительно выбранной системы координат.

      В кристаллографии описание решетки  начинается также с выбора координатной системы, причем выбор осей берется  в соответствии с решеткой Бравэ. За начало координат в решетке принимается, как правило, положение одного из узловых атомов.

      Существуют  два отличия кристаллографической системы координат от обычной  геометрической:

      1) В кристаллографической системе  масштаб измерений по каждой оси самостоятелен и равен периоду идентичности.

      2) В случае косоугольной элементарной  ячейки в кристаллографии принимается  косоугольная  система координат,  а не ортогональная. 

  

 

Рис.1.10. Кристаллографические индексы узла [[mnp]]. 

     Рис. 1.10 поясняет понятие кристаллографических индексов узла. Числа m, n, p являющиеся проекциями вектора R по оси x, y, z. Они и будут кристаллографическими индексами узла, определяющими его положение в элементарной ячейке. Индексы узла могут быть как целыми так и дробными числами.

      Поскольку все ячейки пространственной решетки  тождественны, то точке внутри какой-то ячейки соответствует тождественная  точка во всех остальных ячейках. В связи с этим в подавляющем  большинстве случаев положение  узлов характеризуют узлами, лежащими в первой элементарной ячейке, ближайшей к началу координат. Они и обозначаются символами [[mnp]] или [[ ]]. Эти индексы связаны с реальным положением узла в любой ячейке в решетки как 

x¢=x+ma                                         

y¢=y+nb                       или                                   (1.1)

z¢=z+pc                                            

 
 

      Таким образом, положение любого узла можно  определить, выразив его координаты , через координаты  известного узла, прибавляя или отнимая целые значения m, n, p. 

 

Рис.1.11. Кристаллографические индексы прямых [m n p]. 

      С помощью трех индексов, обозначаемых буквами m, n, p задается и направление семейства параллельных прямых, проходящих через узлы решетки (рис.1.11). Оно определяется индексами узла, поскольку эти же отрезки определяют и положение вектора R

R=ma+nb+pc .                                          (1.2)

При подстановке вместо букв m, n, p численных значений индексов для определения данного семейства прямых поступают следующим образом.

      1)  Выбирают прямую, проходящую через  начало координат.

      2) Для обозначения прямой выбирают  индексы того узла, который имеет  целочисленные значения m, n, p.

      3) Выбранный узел лежит ближе  других к началу координат,  т.е. индексы его не имеют  общего множителя. 

     Таким образом, индексы семейства параллельных прямых выражаются всегда целыми числами, не имеющими общего множителя, как, например, направления [100], [111], [102]. По индексам этих прямых можно построить их в элементарной ячейке (рис.1.11).

      Зная  индексы прямой [mnp], можно определить и углы, которые она образуют с осями координат. Например, для кристаллов кубической системы углы между направлением [mnp] и осями x, y, z равны:

                                       (1.3)  

      При определении угла между двумя  произвольными направлениями в  кристалле устанавливаем индексы  соответствующих им прямых [m1 n1 p1] и [m2 n2 p2]. Тогда согласно аналитической геометрии угол j между этими прямыми определяется соотношением:

cosj=cosa1×cosa2 + cosb1×cosb2 + cosg1×cosg2                  (1.4) 

Подставляя  из (1.3) значения cosj   в (1.4), получим

                                                                       (1.5) 

           Важным моментом является также определение узловой плоскости. Через узлы решетки можно провести ряд, параллельных между собой, узловых плоскостей (рис.1.12). Такие плоскости называются семейством параллельных плоскостей и характеризуются определенным межплоскостным расстоянием.

 

Рис.1.12. Семейство параллельных плоскостей и кристаллографические индексы  плоскостей (hkl). 
 

      Пусть плоскость отсекает на осях координат отрезки A, B, C. Уравнение этой плоскости в отрезках

    +
    = G                         (1.6)

где: G – целое число;  x = ma,  y = nb,  z = pc – координаты какого-либо узла в плоскости. Так как    m = x/a, n = y/b, p = z/c,   то можно записать

                                     = G

Величины  a/A, b/B, c/C – правильные дроби, и их отношение можно заменить отношением некоторых целых чисел   

        

:
:
= h : k : l                       (1.7)

В этом случае всегда найдется множитель R (целое число, общий их знаменатель), который удовлетворяет условию: R = h , R = k , R = l          и уравнение плоскости может быть записано: m(h/R) + n(k/R) + p(l/R) = G или mh + nk + pl = N, где  N=GR – тоже целое число.

     Для соседних плоскостей семейства величина N различается на 1. Так, для плоскости, проходящей через начало координат,  mh + nk + pl = 0, ближайшей к началу координат:

                  mh + nk + pl = 1                   (1.8)

     Числа h, k, l, обратно пропорциональные отсекаемым плоскостью отрезкам на координатных осях, будут характеризовать положение самой плоскости в кристалле. Поэтому в кристаллографии принято определять положение плоскостей в элементарной ячейке и решетке кристаллов при помощи этих чисел– индексов, которые даются в круглых скобках. Если числа h,k,l не имеют общего множителя, то они характеризуют все семейство плоскостей. Кристаллографические индексы плоскости (h k l) называются также индексами Миллера. . Задание положения плоскостей индексами Миллера годится только для плоскостей не проходящих через начало координат [[000]].

      Связь индексов Миллера с отрезками, отсекаемыми  плоскостью на осях  можно проследить на следующих примерах.

      1). Плоскость отсекает на осях отрезки: a, b/2, c/3  т.е. A=a, B=b/2, C=c/3. Такую плоскость можно построить в системе координат элементарной ячейки.Чтобы перейти от отрезков к индексам плоскости, берутся величины, обратно пропорциональные отрезкам (в масштабе соответствующих осей). Полученные числа  и будут индексами плоскости, т.е. (1,2,3).

      2). Аналогично: отрезки, отсекаемые на осях: a/2, b, c – индексы плоскости (2,1,1).

Если индексы  содержат общий множитель, то на него можно сократить – получим  индексы не конкретной плоскости, а  семейства плоскостей. 

   Обратная  задача: построить плоскость с индексами (2,0,1). Отрезки обратно пропорциональны индексам, в масштабах осей это: 1/2, ¥, 1. Откладываем отрезки и строим  плоскость. 
 

     Если  плоскости отсекают по осям отрицательные  отрезки, то это отмечается знаком минус  над соответствующим индексом, например ( ). Каждая комбинация индексов h, k, l определяет не одну плоскость, а бесконечную совокупность параллельных между собой плоскостей. При этом индексы (111), (222), (333) определяют одну и туже совокупность параллельных плоскостей (рис.1.12). Поэтому, если необходимо охарактеризовать сразу все семейство, то выбирают индексы плоскости,  во-первых, наиболее близко расположенной к началу координат и, во-вторых, не имеющие общего множителя, т.е. в данном случае (111).

Информация о работе Лекции по "Кристаллографии и методы исследования структур"