Лекции по "Кристаллографии и методы исследования структур"

Автор: Пользователь скрыл имя, 27 Сентября 2011 в 13:48, курс лекций

Описание работы

Предлагаемый конспект лекций содержит основные понятия кристаллографии, рассматривает основы структурного анализа. Конспект представляет первую часть излагаемого курса “Кристаллография и структурный анализ полупроводниковых материалов” и является дополнением к читаемому курсу “Технология материалов и элементов электронной техники”, что необходимо при подготовке специалистов направления 550700 Электроника и микроэлектроника. Курс лекций обеспечивает проведение практических занятий со студентами при ознакомлении их с экспериментальными методами исследования структуры полупроводников.

Работа содержит 1 файл

Konspekt.doc

— 1.54 Мб (Скачать)

      Для следующего угла скольжения q=q2 мы получим коническую поверхность, описанную вектором H2,, проведенным в узел [[H2K2L2]]. Можно получить конуса дифракции и для этой системы отражающих плоскостей. Угол при вершине этого конуса 4q2. Рассуждая аналогично, получим при взаимодействии монохроматических рентгеновских лучей с поликристаллическим образцом  серию дифракционных конусов.

      Если  на пути таких дифракционных конусов  поместить цилиндрическую фотопленку, то на ней зарегистрируются попарно-симметричные дуги - кривые пересечения интерференционных  конусов с цилиндрической поверхностью пленки (рис.3.1).

      Обычно  съемку осуществляют в цилиндрических камерах типа РКД (камера для рентгеноструктурного анализа по методу Дебая). Рентгеновская  пленка в ней располагается по внутренней цилиндрической поверхности  камеры. При съемке образца в цилиндрической кассете рентгенопленку располагают либо так, чтобы ее концы сходились у входного (для первичного пучка лучей) отверстия камеры М// (рис.3.3,а). Это симметричная прямая съемка. Либо концы рентгенопленки сходятся у одного из концов диаметра, перпендикулярного лучу, как показано на рис.3.3,б. Это асимметричная съемка. При первом способе съемки получают симметричную рентгенограмму (рис.3.1,б), при втором –  асимметричную  (рис.3.1,а).

     Расстояния  между средними точками колец рентгенограмм пропорциональны соответствующим углам скольжения (рис.3.3). Действительно,  дуга окружности длиной АВ=2l  связана с измеренным в радианах углом при вершине конуса 4q соотношением

4qрад=2l/R;    qрад=l/2R   ,                                (3.3)

где R - радиус цилиндрической рентгенопленки. 

 

Рис.3.3. Геометрия съемки в дебаевской камере. 
 

При  угле q,  измеренном в градусах

= × =57,3                                      (3.4)

Если диаметр цилиндрической кассеты 2R взять равным 57,3 мм, то приближенно получим

q » l мм                                                 (3.5)

Таким образом, выраженный в градусах угол q будет равен половине расстояния между симметричными линиями рентгенограммы  в мм.

      При обоих способах съемки, симметричной и асиметричной, для расчета q требуется промерить расстояние l от выхода рентгеновского пучка (рис.3.3) до соответствующего кольца рентгенограммы. По ассиметричному снимку можно, кроме того, точно рассчитать радиус свернутой фотопленки и, следовательно, с большой точностью вычислить для каждой интерференционной линии угол скольжения

q= × l                                                 (3.6)

      Очевидно, что расстояние по окружности между осями симметрии, расположенными у входного и выходного отверстий равно pR (рис.3.3). Тогда для любой пары линий, например C и D, относящихся к одному и тому же конусу дифракции у входного отверстия

pR=(l1+l2)/2  ,                                      (3.7)

где l1 и l2 - расстояние этих линий от оси симметрии М у выходного отверстия. При подсчете радиуса пленки берут несколько таких пар линий у входа, рассчитывают по каждой паре pR и определяют затем среднее значение этой величины.

      При симметричном способе съемки рассчитать радиус свернутой фотопленки по снимку невозможно и его либо приравнивают к радиусу камеры, либо ведут съемку с эталоном. 
 

Порядок расположения и возможное  число линий на дебаеграммах. Каждая линия на рентгенограмме получается в результате отражения рентгеновских лучей от какой-либо системы параллельных атомных плоскостей (HKL), так что индексы линий HKL на рентгенограмме совпадают с индексами отражающих плоскостей.

      При съемке поликристаллического неподвижного образца в монохроматическом излучении положение линий на пленке-рентгенограмме определяется углом скольжения q. Определив угол скольжения q, можно сопоставить данную линию рентгенограммы системе плоскостей (HKL), или найти ее индексы интерференции.  Например, для кубической решетки зависимость между индексами интерференций линии HKL и углом скольжения q определяется из сопоставления двух уравнений:

=
        и      l=2dHKL× sinq

откуда                                   sinq=     ,                                 (3.8)

где a - период решетки, d - межплоскостное расстояние системы плоскостей (HKL),  HKL - индексы  интерференции линий.

      Из  уравнения 3.8 следует, что чем больше сумма квадратов индексов (H2+K2+L2) линий, тем больше угол отражения q. Следовательно, на рентгенограмме интерференционные линии будут располагаться в порядке возрастания суммы квадратов индексов отражающих плоскостей. Исходя из этого, можно составить таблицу, показывающую очередность расположения интерференционных линий на рентгенограмме поликристалла (табл.3.1).

      Пользуясь соотношением (3.8), легко также установить максимально возможное число  интерференционных линий на рентгенограмме. В силу того, что правая часть  уравнения (3.8) не может быть больше 1, - на рентгенограмме должны появиться лишь те линии, для которых

£                                          (3.9) 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Таблица 3.1

Последовательность  расположения линий на дебаеграмме

Примитивная ячейка Объемноцентрированная ячейка Гранецентрированная ячейка
№ линии HKL H2+K2+L2 № линии HKL H2+K2+L2 № линии HKL H2+K2+L2
1 100 1
2 110 2 1 110 2
3 111 3 1 111 3
4 200 4 2 200 4 2 200 4
5 210 5
6 211 6 3 211 6
7 220 8 4 220 8 3 220 8
8 221 9
9 310 10 5 310 10
10 311 11 4 311 11
 

      Из  этого неравенства вытекает, что  общее количество линий на рентгенограмме определяется длиной волны рентгеновских  лучей, а также размерами и формой элементарной ячейки. Чем жестче излучение (меньше l), тем больше линий появится на снимке.

      Например, в кубической решетке при a=2Å и l=1,54Å имеем   2a/l=4/1,54»2,59 и H2+K2+L2£2,592£7. Т.е. согласно табл. 3.1 максимально может появится 6 линий, а с учетом погасаний - еще меньше. Последнее связано с тем, что в природе не существует структур с примитивной ячейкой. Реальные кристаллы имеют элементарные ячейки, в которых атомы располагаются не только по вершинам, но и внутри, а также на боковых гранях ячейки. В этих условиях относительная интенсивность рентгеновских лучей, отраженных от какой-либо плоскости (HKL), будет определяться структурной амплитудой F. Некоторые линии, для которых F=0, на рентгенограммах  исчезают. 

3.2. Фазовый анализ  вещества 

      Одно  из важнейших применений рентгеноструктурного анализа - это фазовый анализ вещества. Каждое вещество в определенный кристаллической  форме имеет вполне определенный набор различных межплоскостных расстояний d. Эта совокупность межплоскостных расстояний является своего рода паспортом данного вещества, по которому можно определить его, пользуясь справочными таблицами. Если исследуемое вещество состоит из двух или более фаз, то рентгенограммы каждой из них накладываются, и для расшифровки такой сложной картины необходимо знать химический состав исследуемого образца. Для однофазного же вещества по рентгенограмме можно, рассчитав набор всех d, определить кристаллическую структуру и химический состав. Чувствительность фазового анализа зависит от природы входящих в него веществ, условий съемки и ряда других факторов. Воспользуемся рассмотренным выше методом Дебая-Шеррера для пояснения.

      Расчет  асимметричной дебаеграммы  для целей фазового анализа. Расчет сводится к определению всевозможных межплоскостных расстояний, которые соответствуют данному поликристаллическому веществу, и к сопоставлению их с табличными значениями d  для различных веществ и их структурных модификаций.

      Схема расчета следующая:

      1) Замеряют расстояние l (или 2l, когда имеется такая возможность) от выхода рентгеновского пучка до всех колец рентгенограммы (рис.3.1,а). Номера колец возрастают в порядке увеличения угла скольжения.

      2) Рассчитывают радиус фотопленки R, поскольку съемка асимметричная.  Для этого промеряют l для одной или нескольких пар колец, соответствующих большим углам q и вычисляют R по формуле pR=(ln+ln+1)/2.

(В случае  прямой симметричной съемки R принимают  равным радиусу камеры).

      3) Зная l и R, находят соответствующий каждой линии угол скольжения q, из соотношения = l.

      4) При точном определении угла  отражения в измеренные значения  необходимо внести поправку на  поглощение рентгеновских лучей  в образце. Как  возникает  и учитывается эта поправка, мы  рассмотрим ниже.

      5) Отделяем линии b-излучения от линий a-излучения.

      Рассмотрим  эти вопросы несколько подробнее. Рассматривая классический дебаевский метод съемки поликристаллов, мы считали, что используем монохроматическое  излучение. На самом деле рентгеновская  трубка дает линейчатый характеристический спектр, включающий ряд линий различных длин волн. Из них все длинноволновое излучение поглощается воздухом и окном рентгеновской трубки, кроме наиболее интенсивных линий

К-серии: Ka и Kb. Длина волны их различна (lKa>lKb), поэтому одна и та же атомная плоскость (HKL) кристалла отражает эти лучи под разными углами и дает на рентгенограмме не одну, а две линии. Это усложняет расчет рентгенограммы.

      Снять линии, обусловленные b-излучением можно, применяя фильтры (см. выше), однако это не всегда желательно, т.к. увеличивает экспозицию примерно в 1,5 раза. Поэтому на практике часто снимают рентгенограммы без фильтра, а из расчета исключают b-линии.

Информация о работе Лекции по "Кристаллографии и методы исследования структур"