Автор: Пользователь скрыл имя, 27 Сентября 2011 в 13:48, курс лекций
Предлагаемый конспект лекций содержит основные понятия кристаллографии, рассматривает основы структурного анализа. Конспект представляет первую часть излагаемого курса “Кристаллография и структурный анализ полупроводниковых материалов” и является дополнением к читаемому курсу “Технология материалов и элементов электронной техники”, что необходимо при подготовке специалистов направления 550700 Электроника и микроэлектроника. Курс лекций обеспечивает проведение практических занятий со студентами при ознакомлении их с экспериментальными методами исследования структуры полупроводников.
где D - диаметр камеры вращения.
Из последней формулы находим угол an, значение которого подставляем в формулу для d*. В результате получим, что период идентичности вдоль оси вращения кристалла
I=1/d*=nl/sin(arctg(2Ln/D)) . (3.31)
В общем случае размеры элементарной ячейки при съемке методом вращения определяются по трем рентгенограммам, снятым при вращении вокруг 3-х основных внутренних кристаллографических осей.
Тип
ячейки Бравэ выявляется при сравнении
периодов идентичности вдоль осей [100],
[110], [111]. Окончательное заключение о типе
ячейки Бравэ делается после индицирования
рентгенограммы. Этот вывод следует согласовать
с числом частиц в элементарной ячейке,
расчет которого приводился при рассмотрении
метода порошков.
3.7.3. Индицирование рентгенограммы вращения
Задача
индицирования рентгенограмм
Индексы интерференции рефлексов на рентгенограмме вращения можно определить, зная величину вектора Hhkl обратной решетки.
I. Величина вектора H для любого интерференционного пятна определяется из соотношения ½H½=1/d . Подставляя в эту формулу значение d из уравнения Вульфа-Брегга (2dsinq=l), получим
Для
кубической сингонии (a=b=c):
= êH ê2 ,
откуда
H2+K2+L2 = íêH ê/a*ý2
= íêH ê×
a ý2
(3.33)
Для
разных слоев рентгенограммы вращения:
0-слой (K, L, 0) íêH ê×aý2 = K2+L2
1-ый слой (K, L, 1) íêH ê×aý2 = K2+L2+1 или K2+L2 = íêH ê×aý2 – 1
2-ой слой (K, L,2) íêH ê×aý2 = K2+L2+4 или K2 +L2= íêH ê×aý2 – 4
3- ий слой
(K, L, 3) íêH ê×aý2 = K2+L2+9
или K2+L2 = íêH ê×aý2
– 9
(3.34)
Соотношение (3.34) позволяет вычислить сумму квадратов интересующих нас индексов K и L, а воспользовавшись табл. 1 , и эти индексы, что приемлемо для всех слоевых линий, если определен угол скольжения q.
II. Угол скольжения q. Для нулевой слоевой линии расчет рентгенограммы вращения повторяет расчет дебаеграммы. Порядок расчета следующий: промеряем расстояние 2l между двумя симметричными пятнами нулевой слоевой линии и определяем угол отражения q по формуле
2q
0 =
где r - радиус цилиндрической камеры вращения. Далее отделяем пятна b - излучения (при съемке без фильтра), учитывая признаки b - отражений и используя соотношение
Для каждого
пятна a
- излучения вычисляем угол q0, абсолютную величину
вектора H (3.32) и, воспользовавшись соотношением
(3.34), определяем íêH ê×aý2 как и недостающие
индексы К, L по табл.1. Данные расчета заносим
в таблицу 2.
Для
пятен на n-слоевой линии вектор
H не лежит в плоскости n-слоя обратной
решетки (рис. 3.21). Поэтому определяем угол
отражения q для пятен
n-ой слоевой линии из прямоугольного сферического
треугольника А Pn¢ P0 (рис.3.25), который
является частью сферы с радиусом
r.
Рис.3.25.
Определение угла скольжения q
по положению пятен в n-слое.
cos2q=cos
2b ×cos an
(3.37)
Угол an получаем из формулы (3.29). Для определения угла b имеем, как и в случае 0-слоя
b=57,3
где l - расстояние от средней линии симметрии рентгенограммы вращения P0P0¢ (рис.3.26) до интерференционного пятна Pn. Так как удобнее измерять расстояние между двумя симметричными пятнами на одной слоевой линии, то есть 2l, причем в данном случае ошибка сильно уменьшается, то формула для определения угла b
Пятна от Ka - излучения для n-ой слоевой линии (n¹0) выявляются сразу, так как они лежат несколько ниже пятен Ka-излучения вдоль прямых, идущих от a-пятен к выходу первичного пучка (пятно в центре рентгенограммы).
Определив угол отражения q0 из (3.37), далее вычисляем для каждого пятна вектор H, íêH ê×aý2 и по табл. 1 индексы К и L. Данные расчета заносим в таблицу 3.
Значения (K2
+ L2) при заданных K и L .
K\L |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
0 |
0 |
1 |
4 |
9 |
16 |
25 |
1 |
|
2 |
5 |
10 |
17 |
26 |
2 |
8 |
13 |
20 |
29 | ||
3 |
18 |
25 |
34 | |||
4 |
32 |
41 |
Таблица 2.
Индицирование линий нулевого
слоя Н=0.
№ |
l(2 l) |
q°=57,3 |
sinq |
H= |
(H×a)2 a=1/d* |
по табл.1
K и L |
H,K,L |
1 | |||||||
2 | |||||||
3 |
Индицирование линий ненулевых
слоев Н=1, 2,…..
№ |
l (2 l ) |
2b=57,3 cos2b |
an , cosan |
cos2q q |
sinq |
H= |
(H×a)2 |
К2 + L 2 |
H, K, L |
1 | |||||||||
2 | |||||||||
3 |
Информация о работе Лекции по "Кристаллографии и методы исследования структур"