Отчет о производственной практике в ООО «КСЦ «Гавриш»

Автор: v*******@gmail.com, 27 Ноября 2011 в 12:49, отчет по практике

Описание работы

Основной целью работы ООО «КСЦ «Гавриш» является пополнение сортимента овощных культур в открытом грунте, а также для плёночных укрытий. Селекционно-семеноводческая фирма «Гавриш» основанная в 1993г. является признанным лидером в области селекции овощных культур в России. В группу компаний «Гавриш» входит ряд селекционных центров: два в Московской области («Красногорский» и «Слободской»), в Иордании («Иорданский СЦ»), один в Тульской области («Алексинский СЦ») и ещё один в Краснодарском крае (Крымский селекционный центр «Гавриш», КСЦ).

Содержание

1. Анализ средств производства хозяйства.
1.1. Общие сведения о хозяйстве
1.2. Земельные ресурсы
1.3. Климатические ресурсы
1.4. Водные ресурсы для орошения
1.5. Техника, машины и капитальные строения
2. Экономика и организация сельскохозяйственного предприятия.
2.1. Экономические показатели.
2.2. Организация и оплата труда.
2.3. Организационно-экономические мероприятия.
3. Технология возделывания плодовых и косточковых культур.
3.1. Технология возделывания плодовых культур (на примере яблони открыто растущей).
3.2. Технология возделывания косточковых культур (на примере черешни).
3.3. Технология выращивания клоновых подвоев (на примере косточковых культур).
3.4. Технология выращивания саженцев плодовых и косточковых культур.
3.5. Технология закладки сада.
4. Технология возделывания овощных культур
4.1.
4. . Технология возделывания огурца в защищенном грунте.
4. . Технология возделывания томата в защищенном грунте.
4. . Технология возделывания овощных культур в условиях орошения.
4. . Организация семеноводства в хозяйстве.
5. Охрана окружающей среды.
6. Охрана труда и техника безопасности.
Общие выводы.
Список использованной литературы.

Работа содержит 1 файл

Отчет по практике Даша.docx

— 75.25 Кб (Скачать)
="justify">   Сборы проводят через 2 дня, для получения пикулей и корнишонов – ежедневно.

   4.5. Технология возделывания  томата в открытом  грунте

   В хозяйстве томат выращивается преимущественно  рассадным способом. Растения томата размещают в овощном севообороте  после бобовых, тыквенных, крестоцветных  или по пласту многолетних трав.

   Основная  обработка зависит от предшественника. Если предшественник убирается рано, то применяют полупаровой способ основной обработки почвы. После  уборки культуры проводят лущение, вносят удобрения и пашут на глубину 28-30 см.

   После многолетних трав корни подрезают (после второго укоса) плугом ПН-4-35Г  со снятыми отвалами или корпусными лущильниками на глубину 10-12 см; после  высыхания срезанных головок  растений вносят удобрения и проводят глубокую вспашку.

   Уплотнившиеся почвы осенью пашут чизель-культиваторами ЧКУ-4 на глубину 18-20 см. Тяжелые заплывающие  почвы пашут позднее.

   Оптимальная доза удобрений колеблется от 90 до 120 кг по д.в. NPK.

   Дозы  минеральных удобрений определяются по выносу элементов питания на планируемую  урожайность с учетом содержания их в почве и поступления с  органическими удобрениями.

   Применяют 3 подкормки томата: первую через 10-15 дней после высадки рассады (безрассадного – в фазе 5-6 листьев), вторую – в период массового цветения и третью – в начале созревания плодов. Вносят их культиваторами-растениепитателями КРН-4,2 на глубину 12-14см.

   Рассаду томата выращивают в стеклянных теплицах. Рассада выращивается в горшочках  пикировочным способом.

   Почвенную смесь готовят из равных частей перегноя и земли.

   Семена  сеют вручную на глубину 1,5-2,0 см.

   Рассаду 45 дневного возраста высаживают в поле, когда среднесуточная температура воздуха достигает 12°С. На Кубани это приходится на третью декаду апреля – начало мая.

     Семена высевают в первой декаде марта, расходуя по 10-15 г/м². После посева поливают теплой (20-25°С) водой (8-10 л/м²). До появления всходов температуру в теплице поддерживают на уровне +22…+27°С.

   При появлении единичных всходов  снижают температуру в теплице до 10°С. Это способствует лучшему росту корней и предотвращает вытягивание сеянцев. В последующие дни в пасмурную погоду поддерживается температура +17…+19°С, в солнечную - +20…+25°С, ночью - +12…+15°С. Температура почвы - +18…+20°С.

   В целях предупреждения грибных заболеваний растения необходимо опрыскивать 0,6%-ной бордоской жидкостью. Полив проводят в первой половине дня с последующим проветриванием теплицы. Приступать к закалке рассады необходимо с фазы четырех-пяти настоящих листьев.

   После окончания весенних заморозков (третья декада апреля – первая декада мая) рассаду высаживают в открытый грунт. Перед высадкой рассаду обильно  поливают, чтобы лучше сохранилась  корневая система. Выбирают рассаду с комом земли и сортируют по высоте. Переросшие растения высаживают вручную, недоразвитые оставляют для подгонки и используют для подсадки.

   Высаживают  рассаду вручную на глубину 10-12 см во влажную почву. Размещают в  поле с расстоянием междурядий 70 см. Полив 200 м³/га, через 6-7 дней поливают вторично по 300 м³/га с одновременной подсадкой в местах выпадов. После подсыхания почвы междурядья культивируют на глубину 8-10 см культиватором КРН-4,2.

   Последующие культивации – по мере появления  сорняков. За период вегетации проводят 3-4 рыхления и 1-2 прополки в рядах. При  таком уходе отпадает необходимость  применения гербицидов.

   Для предупреждения заболевания растений грибными болезнями проводят профилактические обработки медьсодержащими препаратами.

   Томата  начинают убирать с конца июня(в зависимости от сорта). Для местного потребления убирают красные плоды, для отправки – бурые и молочной спелости. Обычно проводят 5-7 сборов томата. Урожайность их составляет 45-50 т/га.

   4.6. Технология возделывания  лука на репку

   Лук размещают по следующим предшественникам: ранняя кочанная или цветная  капуста, огурцы, кабачки, ранние томаты.

   После раноубираемой культуры проводят лущение  тяжелыми дисковыми боронами БДТ-7 на глубину 6-8 см с целью измельчения  растительных остатков. Вносят основное удобрение и пашут на глубину 27-30 см плугом с предплужником. До зимы проводят 2-3 культивации с целью  уничтожения проросших сорняков и выравнивания поверхности почвы.

   Примерная норма удобрений для получения  урожая 200-300 ц/га: 250 кг аммиачной селитры, 450 кг суперфосфата и 150 кг хлористого калия. Из этого количества 100-120 кг селитры вносят в подкормки.

   В весенний период выращивания лука через  севок и рассаду проводится предпосадочная культивация паровыми культиваторами с боронами на глубину 4-6 см.

   Для предупреждения образования стрелок  и обеззараживания севок перед  посадкой прогревают при температуре +40°С в течении 8 часов.

   Высаживают  севок в прогретую почву в  конце марта – первой декаде апреля.

   Высаживают  севок сеялками СЛН-8А однострочно  с междурядьем 45 см. Глубина посадки 3-5 см. После высадки поле прикатывают катками.

   При недостатке почвенной влаги применяют  поливы по 50-100 м³/га до появления всходов.

   За  вегетацию проводят 4-5 культиваций, используя культиваторы КРН-4,2. В  зависимости от условий года за вегетацию  проводят 4-12 поливов.

   За 3-4 недели до уборки поливы прекращают. Через 2-3 дня после последнего полива почву рыхлят на глубину 5-7 см.

   Убирают лук при 50-60%-ном полегании листьев. Убирают его в 2 приема: скашивание и измельчение ботвы, затем выкопка  лука. Уложенные в валки луковицы просушиваются и дозревают.

   4.7. Технология возделывания  огурца в защищенном  грунте

   Огурец  выращивается преимущественно на малообъемной гидропонике.

   Рассаду выращивают в рассадных отделениях, строго соблюдая фитосанитарный режим, обеспечивающий профилактику распространения  болезней и вредителей. Отопительную систему располагают так, чтобы  температура равномерно распределялась по отделению.

   На  стеллажи рассадного отделения устанавливают  кубики из минеральной ваты (10х10х10 см), насыщенные перед посевом (за 3-4 дня) питательным раствором с электропроводностью 1,8-2,2 мСм/см.

   Семена  высевают непосредственно в кубики в специально подготовленные углубления и засыпают вермикулитом. Сроки посева для зимне-весеннего оборота – 16 декабря, для летне-осеннего –  августа. Засеянные кубики увлажняют  до 75-80% НВ. Поддерживают температуру 28°С. При прорастании 50% семян уменьшают температуру до 24°С. В осенне-зимние сроки выращивания рассады с появлением всходов производят искусственное досвечивание. Соблюдают следующий режим: удельная мощность системы облучения – 240 Вт/м² до расстановки и 120 Вт/м² - после расстановки; продолжительность освещения первые 4-5 дней – круглосуточно, в последующие 10 дней – 18 ч, очередные 10 дней – 16 ч и в оставшиеся дни – 14 ч в сутки. В сочетании с досвечиванием эффективно обогащение воздуха СО2 при увеличении концентрации этого газа до 0,15-0,2%.

   Температура после появления всходов и  до окончания выращивания рассады  должна быть 23°С днем и 21°С ночью. Относительная влажность воздуха – 70%. Для ее повышения опрыскивают обогревательные элементы, увлажняют проходы, стеллажи.

   Рассаду поливают, подавая раствор непосредственно  в кубики, путем затопления стеллажей. Для этого готовят раствор  следующего состава (таблица ).

                                                                                                    Таблица

Состав  раствора для полива рассады

Химиче-

ский эле-

мент, входящий в раствор

 
 
N
   

P

 
 
K
 
 
Mg
 
 
Ca
 
 
S
 
 
Fe
 
 
Mn
 
 
B
 
 
Cu
 
 
Zn
 
 
Mo
Количест- во, мг/л 170 40 210 30 130 30 1,5 0,8 0,2 0,1 0,1 0,02
 

   Концентрацию  раствора постепенно повышают с 2,0-2,2 мСм/см до 3,0-3,5 мСм/см к концу выращивания рассады. В кубиках показатели электропроводности должны составлять не более 3,5-4,0 мСм/см, а рН – 5,0-6,0.

   Расстановку рассады производят 1-2 раза, оставляя, в конечном итоге, 16-18 штук растений на 1 м². Рассада готова к высадке через 14-15 дней после появления всходов.

   Время выращивания рассады используют для подготовки теплиц к посадке  огурца.

   Субстрат  насыщают питательным раствором  через ирригационную систему (за 3-4 дня до посадки) с электропроводностью 2,5 мСм/см и рН 5,5.

   Высаживают  рассаду по схеме 100-135х35(40) см (2,5-2,8 растения на 1 м²). Подвязку делают V-образную.

   После посадки рассады в течении 4-5 дней поддерживают температуру субстрата 22-23°С, а затем уменьшают до 21°С. Температура воздуха на протяжении двух дней после посадки должна быть 20°С, а в дальнейшем 23°С днем и 21°С ночью.

   Очень важно поддержание в оптимуме кислотности раствора: до плодоношения огурца показатель рН должен быть 6,0-6,2, а в период плодоношения 5,8-6,0. Поэтому несколько раз в неделю проверяют рН в растворе и вытяжке из субстрата. Если идет подщелачивание, то кислотность изменяют с помощью азотной или ортофосфорной кислоты, которые к тому же являются источником азота и фосфора

   Концентрация  и соотношение питательных элементов  в субстрате и в питательном  растворе изменяются в зависимости  от возраста растений (таблица ). Если наблюдается превышение предельных уровней названных выше показателей в субстрате, его промывают питательным раствором с электропроводностью 1,2-1,3 мСм/см. Дополнительным способом контроля является анализ дренажного стока, который в зимние месяцы составляет 5-10%, а летом – 25-30% от общего объема питательного раствора. Требуется периодически определять содержание макро- и микроэлементов в вытяжке из субстрата, чтобы регулировать уровень обеспеченности ими растений.

                                                                                                          Таблица

   Состав  питательных растворов (мг/л) для  огурца в различные периоды выращивания

Период Электро- провод- ность, мСм/см  
 N- NH4
 
 
K
 
 
Ca
 
 
Mg
 
N- NO3
 
 
S
 
 
P
 
 
Fe
 
 
Mn
 
 
Zn
 
 
B
 
 
Cu
 
 
Mo
Подготовка  основного раствора  
    2,7
17,5 312,8 160,0 33,4 224,0 44,0 38,8 0,84 0,55 0,33 0,27 0,05 0,05
Заправка  субстратов  
   2,5-2,8
11,9 215,0 188,0 51,6 224,0 44,0 38,8 0,84 0,55 0,98 0,27 0,05 0,05
Подача  раствора до плодоношения растений  
                 2,5
17,5 274,0 180,0 33,4 224,0 44,0 38,8 0,84 0,55 0,33 0,27 0,05 0,55
Подача  раствора при массовом плодоношении растений  
                      2,8
17,5 352,0 160,0 33,4 238,0 44,0 38,8 0,84 0,55 0,33 0,27 0,05 0,55

Информация о работе Отчет о производственной практике в ООО «КСЦ «Гавриш»