Основные инструменты контроля и управления качеством

34 09.01-32.93 МЭМС-датчики: нанотехнологии наступают / Юдинцев В. // Электроника: Наука, технология, бизнес. – 2006. – № 8. – с. 26-30.

Развитие микроэлектроники приводит к появлению все более  сложных и быстродействующих  схем, размеры элементов которых  уже меньше 100 нм. Созданы лабораторные образцы транзисторов с длиной затвора 10 нм. По своим размерам их элементы уже сопоставимы с молекулами и даже атомами. И принцип их действия основан на квантовых эффектах и  эффектах межмолекулярных взаимодействий. Нанотехнологии находятся в начальной  стадии развития. Разработаны разнообразные  наноразмерные приборы и системы, свойства которых позволяют создавать  хим. и биологические датчики, новые  фотонные устройства, биотехнику. Созданы  углеродные нанотрубки (Carbon Nanotubes, CNT), нанопровода  на основе полупроводниковых материалов, металлов, диэлектриков, высокотемпературных  оксидов, нитридов и т. п. CNT обладают уникальными эл. и мех. свойствами.

35 08.07-32.670 Воздействие рентгеновского излучения на характеристики датчиков давления на основе КНС-структуры с применением линзы Кумахова /Романов А. Ю. // Инж. физ. – 2006. – № 3. – с. 23-26

Проведено экспериментальное  исследование воздействия рентгеновского излучения, сфокусированного линзой Кумахова, на тензорезисторный чувствительный элемент на основе структуры "кремний на сапфире" (КНС) в составе датчиков давления МИДА (микроэлектронные датчики). Применялись различные варианты воздействия с применением оптики - пучок в различных сечениях: от максимального до минимального. Обнаружена высокая радиационная стойкость исследованных структур. Для возможного применения рентгеновского излучения в целях модификации в технологии данных и других подобных структур целесообразно опробовать более высокие плотности излучения.

36 09.09-32.5. Международная конференция "MEMS". International MEMS Conference, Singaporo, 9-12 May, 2006. J. Phys. Con!. Ser. 2006, 34, с. I – XI, 1-1147.

Международная конференция "MEMS" проходила в Сингапуре в мае 2006 г. Были рассмотрены новые технологии изготовления MEMS-систем. Показаны перспективы развития нейросетевого анализа. Приведены результаты модельного анализа новых сенсорных структур. Описаны датчики на основе тонких пленок фосфидов. Разработаны системы контроля технологических процессов на микро- и наноуровнях.

37 06.11-32.155 Промышленный датчик вибраций с применением МЭМС-акселерометра. Design of industrial vibration transmitter using MEMS accelerometer: Докл [International MEMS Conference, Singapore, 9-12 May, 2006] Pandiyan Jagadeesh, Umapathy M., Balachandar S., Arumugam M., Ramasamy S., Gajjar Nilesh C. J. Phys. Conf. Ser. – 2006. 34. – с. 442-447.

  Представлено описание  конструкции промышленного датчика  вибрации, в котором используют  емкостный акселерометр, изготовленный по МЭМС-технологии, описание цепей преобразования сигнала акселерометра, процедуры калибровки и способы установки.

38 07.06-32.193 Беспроводная измерительная система с МЭМС для акселерометра. Mao Yao-hui, Yuan Wei-zheng, Yu Yi-ting. Weinadianzi jishu = Micronanoelectron. Technol. 2006, 43. – № 5. – с. 254-257.

39 07.03-32.200 Методика разработки объёмного микрообработанного одноосного кремниевого емкостного акселерометра с оптимизированными размерами прибора. Desing steps for bulk micro machined single axis silicon capacitin accelerometer with optimised device dimensions.Докл. [ International MEMS Conference, Singapore, 9-12 May, 2006] Agarval Vivek, Bhattacharayya Tarun K., Banik Subhadeep. I. Phys. Conf. Ser. 2006. 34 c.722-727.

40 07.09-32.204 MEMS-акселерометры.  / Николайчук О. // Схемотехника. – 2006. – №3. – с.12-14.

  Компания MEMSIC специализируется в области разработки MEMS-приборов различного назначения. Ей первой удалось создать акселерометр, выполненных полностью по КМОП-технологии и не содержащий никаких движущихся частей, что значительно повысило точность, надежность и долговечность, также значительно снизило его стоимость.

 41 08.07-32.200 Автомобильные акселерометры. 4.5. Перспективная элементная база поверхностных кремневых емкостных MEMS-акселерометров. / Сысоева С. // Компоненты и технологии – 2006. – №4. – с.28-39.

  Данная часть статьи  завершает начатый в предыдущей  публикации обзор кремневых емкостных  MEMS-акселерометров, которые, благодаря  их малому размеру, высокой  степени интеграции, низкому энергопотреблению,  высокой надежности и доступной  цене, превалируют на современном  автомобильном рынков датчиков  и характеризуются непрерывным  повышением их технологического  уровня.

42 09.07-32.53 MEMS-датчики и преобразователи на основе полимеров с функцией самоорганизации. Self-assembled polymer MEMS sensor and actuators: Докл. [Conference on Smart Structrures and Materials 2006 “Smart Electronics, MEMS, BioMEMS, and NanoTechnology”, San Diego, Calif., 26 Febr – 1 March, 2006] .Hill Andrea J., Claus Richard O., Lalli Jennifer H., Homer Mechelle: Proc. SPIE, 2006. 6172, c. 61720U/1-61720U/8.

  Рассмотрены перспективы  применения нанокомпозитного материала  Metal Rubber (MR) в MEMS-датчиках и преобразователях с функцией самоорганизации.

43 10.02-32.365 Изготовление трехмерных микро- и наноструктур для МЭМС и МОЭМС: принцип сочетания литографий. Fabrication of 3D micro and nanostructures for MEMS and MOEMS: an approach based on combined lithographies : Докл. _[International MEMS Conference, Singapore, 9-12 May, 2006_] / Romanato F., Businaro L., Tormen M., Perennes F., Matteucci M., Marmiroli B., Balslev S., Di Fabrizio E. // J. Phys. Conf. Ser. – 2006 34, с. 904-911.

Известно, что рентгеновская  литография относится к стабильной технологии изготовления МЭМС и МОЭМС  с низким уровнем шероховатости  боковых стенок, критическим субмикрометровым размером и высоким аспектным  отношением. Рассматривается технология рентгеновской литографии с многомерным  наклоном в сочетании с электронно-лучевой  литографией для создания субмикрометровых рисунков произвольной формы, углубленных  в трехмерной структуре.

44 08.03-32.204 Современные возможности емкостных МЭМС акселерометров при жестких условиях эксплуатации. Current capabilities of MEMS capacitive accelerometers in a harsh environment / Stauffer Jean-Michel // IEEE Aerosp. and Electron. Syst. Mag. – 2006 21. – № 11. – с. 29-32

Рассмотрена общая тенденция  к применению технологии изготовления МЭМС датчиков, отвечающих требованиям  эксплуатации в жестких условиях окружающей среды (при низких отрицательных и высоких температурах, ударах, вибрациях). Приведены сведения о МЭМС датчиках с противоударной стойкостью более 20 000 g и рабочим диапазоном температур от -120 до 180°C. Представлены результаты экономического анализа международного рынка МЭМС, прогнозируется его состояния до 2008 г. включительно. Особое внимание уделено применению новых материалов и новых технологий.

45 08.01-32.177 Высокочувствительный микроакселерометр МАС (Разработка и применение): Докл. [13 Санкт-Петербургская международная конференция по интегрированным навигационным системам, Санкт-Петербург, 29-31 мая, 2006_] / Хвойка М., Федоссов В. // Гироскопия и навигация. – 2006. – № 3. – с. 108.

Описывается метод неконсервативного  измерения ускорения в реальном масштабе времени на борту космического корабля. Представлена разработка специального инструмента измерения - микроакселерометра - его блок-схема, концепция управления и применение в космических исследовательских  программах.

 

 

2007

 

46 Микроэлектронные датчики. Разработка и проектирование / Михайлов П.Г., Варламов А.В. // Датчики и системы – 2007. – № 8. – с.23-26

Рассмотрены состояние и  перспективы развития микроэлектронных датчиков (МЭД), определены возможные  сферы применения. Предложена декомпозиция структуры МЭД, позволяющая рассматривать  датчик как сложную систему. Определены основные этапы проектирования и  их особенности.

47 Управление электрофизическими характеристиками микроэлектронных датчиков. Цибизов П. Н. Информационно-измерительная техника: Межвузовский сборник научных трудов. Пенз. гос. ун-т. Пенза: ПГУ. 2007, с. 155-160

Рассматриваются вопросы  применения полевых компенсирующих преобразователей при создании стабилизированных структур твердотельных микроэлектронных датчиков.

48 Микромеханика в информационных системах. Михайлов П. Г., Харлан А. А., Михайлова В. П. Труды Международной научно-технической конференции (Computer-Based Conference) "Современные информационные технологии"', Пенза, 2007. Вып. 6. Пенза: ПГТА. 2007, с. 52-56.

Одним из самых перспективных  и динамических направлений приборостроения  является создание микромех. устройств  и систем (ММУС). Как показали исследования и практика создания микроэлектронных датчиков (МЭД), наведенные в узлах и элементах ММУ при их изготовлении механические напряжения, оказывают существенное влияние на метрологические и эксплуатационные характеристики МЭД. Это проявляется: в значительном и не прогнозируемом временном и температурном дрейфе характеристик, снижении механической прочности и уменьшении информативности выходных сигналов. Для минимизации механических напряжений в структурах и элементах МЭД разработаны и апробированы на практике различные конструктивно-технологические решения: автокомпенсация тепловых напряжений в кристаллах чувствительных элементов МЭД топологическими методами; многостадийная диффузия; ионное легирование; использование стоп-травления.

 49 Разработка технологических процессов изготовления микромеханического датчика (ММД) давления ёмкостного типа. Бритков О. М., Бойко А. Н.., Золотов Р. В. Элементы микросистемной техники, оборудование и технология их производства: Сборник научных трудов. Моск. гос. ин-т электрон. техн. (техн. ун-т). М.: МИЭТ  2007, с. 37-41.

Рассмотрены вопросы проектирования и изготовления микромеханических  датчиков давления. По измеряемой величине датчики давления делятся на датчики избыточного давления, вакуума, дифференциального, абсолютного  давления.

50 Минимизация влияния нестационарных температур на МЭМС-структуры тонкопленочных тензорезисторных датчиков. Белозубов Е. М., Косоротов Г. Н., Белазубова Я. Е. Труды Международной научно-технической конференции (Computer- Basted Conference) "Современные информационные технологии", Пенза, 2007. Вып. 6. Пенза: ПГТА. 2007, с. 70-74.

Разработаны компенсационный  метод и средства минимизации  влияния, оказываемого нестационарными  полями температур термодеформацией на определенность измерения давления с помощью мостового тензометрического  датчика. Предложена МЭМС структура  тонкопленочного датчика давления, содержащая терморезисторы, которые  частично расположены между мембранной и сформированными на мембране тензорезисторами мостовой схемы, а частично — вне  соответствующих тензорезисторов. При такой структуре температура  терморезисторов с высокой точностью  отслеживает температуру тензорезисторов  вследствие малого термического сопротивления  между тензорезисторами и терморезисторами. Изменение сопротивления терморезисторов  oт температуры совместно с выходным сигналом тензомоста подается на вход микропроцессора, в котором запрограммирована индивидуальная корреляционная характеристика выходного сигнала тензомоста и сопротивлений терморезисторов.

51 Минимизация влияния повышенных температур и виброускорений на МЭМС-структуры тонкоплёночных датчиков давления. Белозубов Е. М., Белозубова Н. Е., Васильев В. A. INTERMATIC - 2007: Материалы Международной научно-практической конференции "Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения", Москва, 23-27 окт., 2007. Ч. 2. М.: МИРЭА. 2007, с. 73-77.

Экспериментальные исследования МЭМС-структур, выполненных в соответствии с предлагаемыми решениями, показали, что виброустойчивость таких МЭМС-структур, выше возможностей имеющихся вибростендов (20000 м/с²). МЭМС-структуры емкостных тонкоплёночных датчиков давления при использовании молибден-никелевых контактных площадок и выводных проводников из сплава 79НМ, работоспособны до температуры 1000°С. Возможно увеличение рабочей температуры при использовании более тугоплавких материалов. Традиционные методы построения МЭМС-структур обеспечивают работоспособность при температурах не более 350°С. В соответствии с предложенными методами и средствами построения МЭМС-структур тонкопленочных датчиков можно присоединять выводные проводники к тонкоплёночным контактным площадкам практически любой реальной толщины. Кроме того, преимуществом предлагаемых решений, по сравнению с известными методами построения МЭМС-структур, является возможность присоединения к контактным площадкам выводных проводников существенно большей толщины, что позволяет использовать их непосредственно в качестве гермовыводов. Причём все соединения осуществляются из материалов, не содержащих драгметаллы.

52 Малогабаритные датчики давления жидкости / Еманов Андрей // Новости электрон. – 2007. – № 4. – с. 20-21.

Малогабаритные пьезорезистивные датчики давления жидкости в индустриальном исполнении производства подразделения  компании Honeywell-SenSym, применяются во многих высокотехнологичных отраслях производства. Их отличают широкий  диапазон измеряемых величин и рабочих  температур, прецизионная точность измерения, разнообразие корпусных исполнений и возможность работы в агрессивных  средах.

53 Новейшие датчики : Пер. с англ. / Джексон Р. Г. - М. : Техносфера, 2007. - 381 с.

Стремительный рост разработок и применения датчиков на основе ранее  не использовавшихся физ. принципов  и внедрения новых технологий для реализации известных эффектов стимулирует появление современных  руководств. В учебнике-монографии изложены многие недавно сформировавшиеся или обновившиеся направления сенсорики, включая измерительную микромеханику, датчики на ПАВах, оптические, ионизационные  и магнитные, хим. микросенсоры, оптико-волоконные и интеллектуальные измерительные  системы, расходометрию для нестационарных потоков и ряд других.

54 Микроэлектронные датчики. Разработка и проектирование / Михайлов П.Г., Варламов А.В. // Датчики и системы – 2007. – № 8. – с.23-26

Рассмотрены состояние и  перспективы развития микроэлектронных датчиков (МЭД), определены возможные  сферы применения. Предложена декомпозиция структуры МЭД, позволяющая рассматривать  датчик как сложную систему. Определены основные этапы проектирования и  их особенности.

55 МЭМС – здесь, там, везде. Большие рынки малых устройств /Гольцова М., Юдинцев В. // Электроника: Наука, Технология, Бизнес – 2007. – № 1. – с.114-119

Рассмотрены крупнейшие фирмы-производители  МЭМС-приборов. Указываются области  применения микроэлектромеханических систем. Изделия на базе МЭМС становятся предметами повседневной жизни.

56 Состояние, проблемы  и пути развития датчикостроения на 2006-2015 гг. / Мокров Е. // Электронные компоненты – 2007. – № 3. – с.64-71

Проведен анализ тенденций  развития датчико-преобразующей аппаратуры. С учетом результатов исследований и рекомендаций институтов РАН определены приоритетные направления разработок ДПА нового поколения, в том числе  в рамках Федеральной космической  программы и программы «Датчики ВВТ».

57 Микромеханические приборы: учебное пособие / Распопов В.Я. – М.: Машиностроение, 2007. – 400с.

В книге рассмотрены микродатчики давления, микроакселерометры и др. Приведена их конструкция, фирмы-изготовители. Рассмотрены чувствительные элементы микродатчиков.

 

Из реферативных журналов "Метрология и измерительная техника"