Свойства полупроводников, расчет характеристик p-n-перехода

Теоретической основой электроники являются современные представления физики твердого тела и физики полупроводников, объясняющие
сложные процессы, происходящие в различных полупроводниковых структурах
и в контактах различных типов полупроводников.
Целью данной курсовой работы является определение свойств полупроводников и характеристик p-n перехода.

Введение………………………………………………………………………7
№1. Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда в собственном полупроводнике…………..…………….…..…8
№2. Расчет температурной зависимости уровня Ферми в собственном полупроводнике…………………………………………………………………..…10
№3. Расчет температуры ионизации донорной примеси Тs и ионизации основного вещества Тi в полупроводнике n тока методом последовательных приближений………………………………………………………………………..11
№4. Расчет температуры ионизации Тs и Тi в акцепторном полупроводнике методом последовательных приближений…………………....13
№5. Расчет температурной зависимости положения уровня Ферми Ef(T) в донорном полупроводнике………………………………………………………...15
№6. Расчет критической концентрации вырождения донорной приме-си……………………………………………………………………………..19
№7. Расчет равновесной концентрации основных и неосновных носителей тока в p-n и n – областях p-n перехода при температуре Т=300К.....19
№8. Нахождение высоты потенциального барьера равновесного p-n-перехода и контактную разность потенциалов…………………………………..21
№9. Нахлждение положения уровней Ферми в p-n-перехода и n-областях относительно потолка зоны проводимости и дна валентной зоны соответствен-но……………………………………………………………………..21
№10. Нахождение толщины p-n-перехода в равновесном состоянии (Т=300К)………………………………………………………………………….....22
№11. Определение толщины пространственного заряда в p-n-областях..22
№12. Построение графика 5 «Энергетическая диаграмма p-n-перехода в равновесном состоянии»…………………………………………………………..23
№13. Нахождение максимальной напряженности электрического поля в равновесном p-n-переходе. Построение графика 6 «Зависимость напряженности электростатического поля от расстояния в p-n-переходе»….............................. 23
№14. Нахождение падение потенциала в p-n-областях пространственного заряда p-n-перехода………………………………………… ……………………24
№15. Построение графика 6 «Зависимость потенциала в p-n-областях от расстояния»………………………………………………………………………...25
№16. Вычисление барьерной емкости p-n-перехода в расчете на S=1 см²…………………………………………………………………………………...26
№17. Вычисление коэффициента диффузии для электронов и дырок ( в см²/с) и диффузионную длину для электронов и дырок………………………. 27
№18. Вычисление электропроводности и удельного сопротивления соб-ственного полупроводника, полупроводника n-и p-типа……………………28
№19. Определение величины плотности обратного тока p-n-перехода....29
№20. Построение обратной ветви ВАХ p-n-перехода, Т=300 К………....30
№21. Построение прямой ветви ВАХ p-n-перехода, Т=300 К…………...31
№22. Вычисление отношения jпр/jобри…………………………………. 32
Заключение……………………………………………………………….…34
Список литерату-ры………………………………………………….......................................……....35