Построим график зависимости параметра a(T) характеризующего зависимость преобладания типа рассеяния от температуры:

 
 

Вычислим концентрацию дырок в полупроводнике и удельную электропроводность германиевого полупроводника:

Построим график зависимости дифференциальной термо-э.д.с. от температуры при смешанном рассеянии:

 

Заключение

Целью данной работы было исследование эффекта Зеебека, а именно зависимости дифференциальной термо-э.д.с. от температуры. Дифференциальное термо-э.д.с. является основным параметром данного физического эффекта.

В данной курсовой работе проводился расчет, и построение графически температурной зависимости только при смешанном рассеянии (рассеяние может происходить на акустических ветвях фононов и на ионах примеси), без учета других типов рассеяния.

Графики, изображенные на Рисунок 15-Рисунок 17 полностью соответствуют тем графикам, которые изображены в справочной литературе.

Графики находятся в 4 квадранте декартовой плоскости координат в определенном диапазоне температур, что соответствует полупроводнику n-типа и критерием правильности проведенных исследований.

 

Библиографический список

 

1. Бонч-Бруевич В. Л. Физика полупроводников/ Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. - М.: , Наука, 1977.- 672с.
2. Шалимова К. В. Физика полупроводников/ Шалимова К. В. - М.: Энергия, 1976.- 416с.
3. Киреев П.С. Физика полупроводников/ Киреев П.С. – М.: Высшая школа, 1975. - 592с.
4. Практикум по полупроводникам и полупроводниковым приборам: Учебное пособие для вузов/ Под ред. Проф. К.В. Шалимовой. - М.: Высшая школа, 1968. - 464с.
5. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников/ Фистуль В.И. - М.: Высшая школа, 1975. – 296с..
6. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы/

  Пасынков  В.В.,Чиркин Л.К.-М. Высшая школа, 1987.-479 с.