Автор: Пользователь скрыл имя, 02 Января 2012 в 17:52, творческая работа
Нанокластеры и организованные на их основе наноматериалы
обладают рядом особенностей, приводящих к изменению их оптических свойств. Нанометровый размер и переход от массивного твердого тела с зонной структурой к отдельным электронным уровням и ограничение длины свободного пробега носителей за счет влияния поверхности кластера изменяют правила отбора и вызывают появление новых оптических переходов, изменение энергии переходов, изменение времени флюоресценции и люминесценции, увеличение силы
осцилляторов. Другой важный фактор, определяющий свойства наноматериалов, это влияние матрицы и среды нахождения кластеров. На основе таких наноматериалов возможно получение светоперестраиваемых
диодов и лазеров с изменением длины волны, получение ряда нелинейных
оптических наносистем для оптических преобразователей.
Введение.
1.Наносистемы на основе металлических нанокластеров
2. Наносистемы на основе полупроводниковых кластеров
3. Фононные нанокристаллы и пористый кремний
4. Полупроводниковые наноструктуры и наноустройства
5.Основные задачи нанофотоники
6.Лампа Накамуры
7.Лазерный ключ
8.Волоконные лазеры
9.Отклонение света назад
10Литература
Министерство образования и науки РК
Евразийский национальный университет имени Л.Н.Гумилева
Физико-технический факультет
Кафедра техническая физика
Реферат
На
тему: Оптические свойства
наносистем.
Астана, 2011
год
Содержание:
Введение.
1.Наносистемы на основе металлических нанокластеров
2. Наносистемы на основе полупроводниковых кластеров
3. Фононные нанокристаллы и пористый кремний
4. Полупроводниковые наноструктуры и наноустройства
5.Основные задачи нанофотоники
6.Лампа Накамуры
7.Лазерный ключ
8.Волоконные лазеры
9.Отклонение света назад
10Литература
Введение
Нанокластеры и организованные на их основе наноматериалы
обладают рядом особенностей, приводящих к изменению их оптических свойств. Нанометровый размер и переход от массивного твердого тела с зонной структурой к отдельным электронным уровням и ограничение длины свободного пробега носителей за счет влияния поверхности кластера изменяют правила отбора и вызывают появление новых оптических переходов, изменение энергии переходов, изменение времени флюоресценции и люминесценции, увеличение силы
осцилляторов. Другой важный фактор, определяющий свойства наноматериалов, это влияние матрицы и среды нахождения кластеров. На основе таких наноматериалов возможно получение светоперестраиваемых
диодов и лазеров с изменением длины волны, получение ряда нелинейных
оптических наносистем для оптических преобразователей. Упорядочение
нанокластеров в матрице дает возможность создания фотонных кристаллов, имеющих постоянную решетки, сравнимую с длиной волны видимого света. Нанометровые размеры кластера приводят к появлению нового эффекта — одноэлектронной проводимости, — к синтезу нанопроволок, созданию новых наноустройств на основе нанодиодов и полевых транзисторов, нового типа аккумуляторных батарей, конденсаторов и т.д.Оптические наноустройства носят различный характер для нанокластеров металлов и полупроводников. мы рассмотрим наносистемы на основе металлов и полупроводников с учетом влияния матрицы и межкластерных взаимодействий. Представляют интерес наноматериалы, приводящие к разного рода нелинейным оптическим эффектам, и фотонные кристаллы. Наконец будут рассмотрены наноустройства на примере оптических диодов и лазеров.
1.Наносистемы на основе металлических нанокластеров
Спектры поглощения нанокластеров характеризуются интенсивной
широкой полосой,
которая отсутствует у
полоса связана с коллективным возбуждением электронов проводимости
(поверхностными плазмонами) и приводит к замечательной цветовой
гамме от красного цвета до синего для разбавленных коллоидов
благородных, щелочных и редкоземельных металлов. Плазмонный эффект состоит в резонансном поглощении нанокластером падающего
электромагнитного излучения. Под действием электромагнитного поля электроны проводимости в кластере смещаются относительно положительно заряженного остова. В результате смещения возникает возвращающая сила,
пропорциональная величине смещения, подобно тому как это происходит для
гармонического осциллятора. При совпадении собственной частоты колебаний электронов и частоты внешнего поля должен наблюдаться резонансный эффект, связанный с возбуждением собственных колебаний электронов.
Описание коллективного движения электронов на языке квантовой
механики приводит к понятию элементарных возбуждений — плазмонов,
обладающих энергией hwo, где wo >о — собственная частота плазмонов.
Оптические свойства нанокластеров, хотя и определяются
квантовыми эффектами, тем не менее могут быть описаны в рамках классической теории Ми [1].
Свойства нанокластеров
и матрицы в наносистеме
комплексной диэлектрической проницаемостью, которая появляется как
следствие поглощения электромагнитного излучения с энергией Е и
частотой и) в виде Е = Eoexp{iwt}. Поглощение для N нанокластеров
на единицу объема можно записать в виде стандартного выражения
где С и l — сечение поглощения и длина оптического поглощения.
В приближении, когда размер кластера намного меньше длины волны,
сечение поглощения записывается в виде [2]
где V и А соответственно объем сферического кластера и длина
волны падающего излучения с частотой ш. Комплексная диэлектрическая
проницаемость нанокластера равна
При малых в2(ш) резонанс и положение максимума поглощения определяется е\(ш) = -2ет, где ет — диэлектрическая постоянная среды (матрицы). Ширина и высота линии поглощения определяется £2(<ш)-
Кроме того ширина резонанса определяется также величиной ет.
Профиль линии поглощения в области резонанса обладает лоренце-
вой формой и характеризуется энергией положения резонансного пика
hu)o и его шириной. Для нанокластеров с размером намного меньше
длины волны
резонансная частота и
выражению [1]
где п — плотность электронов, £0 — диэлектрическая постоянная
вакуума, гас — эффективная масса электронов проводимости, ет —
действительная
часть диэлектрической
компонента ет, связанная с межзонными переходами в нанокластере.
Ширина резонанса определяется соотношением [3]
где vp — фермиевская скорость электронов, а — постоянная, R — радиус
нанокластера.
Анализ формул A5.1)—A5.5) не дает прямой зависимости положения
или сдвига линии плазмонного поглощения от размера нанокластера,
но свидетельствует об уширении линии поглощения с уменьшением
размера кластера, т. е. зависимости Г ~ а/Д, хотя простейшие оценки
за счет возникновения
поверхностных плазмонов
Ц) = Ws = Vp/R. С другой стороны, линия поглощения плазмонного
резонанса уширяется с уменьшением размера кластера согласно
зависимости Г ^ a/R. Эксперимент подтверждает уширение линии для малых
нанокластеров, но дает противоречивые данные относительно знака
влияния размерного эффекта на изменение частоты плазмонного резонанса.
Как показываю расчеты и экспериментальные данные, сдвиг частоты
резонанса для
нанокластеров металла в
диэлектрической проницаемостью окружения (матрицы). В этом
отношении весьма поучительно рассмотреть расчет такого сдвига и опытные
данные для наноструктур, которые организуются из кластеров серебра
с размерами 2 -f 8 нм [4].
С учетом межзонных переходов для d-электронов и размерных
эффектов, связанных с ограничением длины свободного пробега для свободных электронов, результаты расчета представлены на рис. 15.1 для слабо взаимодействующих кластеров.
Расчеты свидетельствуют о том, что для кластеров с размером 8 нм плазмонный пик имеет минимальную ширину. Уменьшение размера кластера
приводит к уменьшению интенсивности резонансного поглощения и увеличению ширины пика. Уравнение A5.2) показывает, что поглощение
зависит от диэлектрической проницаемости среды ет. Расчетные спектры для кластеров серебра с размерами 4 нм показывают низкочастотный сдвиг в
полтора раза по энергии (с 3,46 эВ до 2,29 эВ) с увеличением величины ет от 1 до 6. Расчеты для взаимодействующих кластеров [1] приводят к расщеплению монолинии плазмонного резонанса на несколько линий, но не изменяют качественных предсказаний простой модели. С помощью методики обратных мицелл были получены нанокластеры серебра с размерами 4,5, 5,2 и 6,1 нм, стабилизированные тиолами. Двумерная и трехмерная кластерная структура была получена после нанесения капель коллоидного
раствора нанокластеров в гексане на графитовую подложку. Для двухмерной
наноструктуры было найдено, что организация нанокластеров серебра
на углеродной подложке сказывается на их оптических свойствах: полоса
поглощения плазмонного пика сдвигается в сторону более низких
энергий (от 2,85 до 2,78 эВ), а ее ширина увеличивается (от 0,9 до 1,3 эВ)
по сравнению с плазмонным поглощением в коллоидном растворе.
Для того чтобы проследить изменения в спектрах плазмонного
резонанса при переходе от коллоидного раствора кластеров серебра к
двумерной и трехмерной структуре, была применена следующая методика.
На графитовую подложку высаживалось последовательно возрастающее
количество нанокластеров серебра с помощью нанесения различного
числа капель коллоидного раствора с последующим высушиванием. При этом было возможно формирование двумерной и трехмерной упорядоченной
кластерной структуры.
На рис. 15.2 представлены оптические спектры первоначального коллоидного раствора, двумерной и трехмерной структур, полученных таким способом. Нанесение на подложку одной капли коллоидного раствора приводит к образованию двумерной наноструктуры с гексагональной сеткой из нанокластеров серебра (рис. 15.2 B)). Спектр поглощения такой структуры
отличается от спектра поглощения в коллоидном растворе: положение
плазмонной полосы поглощения сдвигается на 0,27 эВ, а ее ширина