Автор: Пользователь скрыл имя, 14 Декабря 2012 в 12:40, курсовая работа
Повсеместное использование КМП и, в то же время, наличие несоответствий в теории с практикой вызвало у меня глубокий интерес к этой теме. Изложение материала в курсовой работе построено таким образом, чтобы, зная историческое развитие теории данного вопроса, а также результаты современных практических исследований, можно было обозначить основные проблемы и предложить возможные их решения
Введение 5
1 Общие положения 6
1.1 История вопроса 6
1.1.1 Классическая модель Шоттки 7
1.1.2 Модель Мотта 7
1.1.3 Модель Бардина – Хейне 8
1.2 Зонные диаграммы контакта «металл – полупроводник». Механизм образования барьера 8
2 Эффект шоттки 14
3 Механизмы токопрохождения в выпрямляющем контакте «металл – полупроводник» 17
3.1 Теория термоэлектронной эмиссии 18
3.2 Диффузионная теория 19
3.3 Термоэмиссионно-диффузионная теория 20
3.4 Теория полевой и термополевой эмиссии 21
4. Электрофизические характеристики идеального выпрямляющего контакта «металл – полупроводник» 23
4.1 Вольт – амперная характеристика 23
4.2 Полное сопротивление и эквивалентная схема контакта 23
4.3 Частотные свойства контакта 25
4.4 Емкостные свойства контакта 26
5. Современные модели реальных контактов «металл – полупроводник» 28
Заключение 29
Список используемых источников 30
(обязательное к разделу 5)
Рисунок Г.1 –Энергетические диаграммы параллельно соединённых взаимодействующих выпрямляющих и омических контактов металла с полупроводником n-типа при наличии внешнего напряжения и дополнительных электрических полей, обусловленных эмиссионной неоднородностью и ограниченностью контактной поверхности.