Транзистор

Дала Мобы - транзистор. Моп жасаулар үшiн - транзисторлар nның pның жоғары кедергiлi кремниiн қолданылады - немесе - түр. P кремнилерде - диффузияның әдiсiн түр nның екi күштi қоспасыз болат таяудағы облыстары жасалады - түр. Солардың бiрi кiретiн бастау деп аталатын болып табылады. Басқа - науа - шығумен қызмет көрсетедi. Тар аралық облыстың үстiнде кремнидiң диоксидiнiң нәзiк айырғыш (200 нм жуандықпен және кем) жiгi өсiп жетiлдiредi. Оған металл немесе бағдарлаушы (6-шы сурет) электродпен қызмет көрсететiн кремнидiң жiгi келтiредi. Мұндай құрылым және металл құрылымы бар дала транзисторымен деп аталады - оксид - (Моп - транзистормен) жартылай өткiзгiш. Оң кернеудi бағдарлаушы электродқа берудiң жанында түр, науамен жалғастыратын бастау кремнидiң бетiне электрондары тартатын күштi электр өрiсiсi және nның өткiзушi каналы құрастырады пайда болады. Оң кернеумен тәртiп сөндiрудi тәртiппен деп аталады. Сыртқы кернеудi жоқтық ашық құралдар даярлауға болады. Оларда Терiс кернеу каналды пiкiредi және оның кедергiсiн жоғарылатады; мұндай тәртiп жарлылануды тәртiппен деп аталады. Pның каналы бар транзисторлар сонымен бiрге өндiрiледi - түр. 

Моп жұмыстар процессте - nмен транзистор - негiзгi сақтаушы болатын электрондар каналмен каналдарға бастаудан шыға кiредi және сонымен бiрге бастау туралы оң жылжу алатын науаға қатысады. Электрондардың тоғы затворда кернеумен модульдейдi. Өсiп келе жата науаның потенциалы, затвор және бастаудың потенциалдарының айырымымен бiрдей болып шыққан бойда, каналдың енi нөлге дейiн азайған бойда және кесiнгiштiкте деп аталатын болған бойдатек қана. Тоқ науада демалыс кернеуiн ары қарай жоғарылатуда тұрақты дерлiк болып қалады. Затвордан тоқ диэлектрик арқылы iс жүзiнде болмайтындығы, дала Мобының кiретiн импедансы - транзистор керемет ұлы. Ұзақ уақыт затворда сондықтан бос тұрулар және әдемi жартылай өткiзгiш есте сақтайтын құралдарды құруға мүмкiндiк берген заряд сақталына алады. Дала Моптарының бұл қызықты ерекшелiгi арқасында - олар транзисторлар және олардың аз өлшемдерiне электрондық өнеркәсiптегi маңызды мәндерi алды. 

Бағдарлаушы p-nмен Пт - өткелмен.

Байланысулар  такомалардың дала транзисторында nның жоғары кедергiлi жартылай өткiзгiшiнiң қалтасында жолақтарға тұжырымдалады - түр. Сыртқы жолақ бастау болып табылады; орташа жолақ - науа - көз туралы оң, науаға бастаудан дегенмен (электрондар ) негiзгi сақтаушылар ағады. (p - түр) затвордың облыстары жоғарғы және төменгi қабаттардағы орналастырған және (6-шы сурет) диффузиялық өзара тұйықтаған.

P-nға жұмыс тәртiбiнде - өткел керi қызметтен алуды кернеудi әпередi, nдардың төңiрегiдегi дегенмен - түр жарлылануды аймаққа таралады. Затворлардың арасындағы каналдың енiмен және тоқты модульдеу басқару мүмкiн затвордағы керi қызметтен алу өзгерте басқару мүмкiн. Жанында үлкен кернеу жеткiлiктi кесiнгiштiкте болады. Затвор және тоқтың қанығуы нөл тоқтың кез келген тұрақты деңгейiнде шейiн жету үшiн осылай ету мүмкiн науадағы кернеулердi тiркес өзгерте тоқтың қанығуы нөл тоқтың кез келген тұрақты деңгейiнде шейiн жету үшiн осылай ету мүмкiн.Бағдарлаушы p-nмен Пт - өткелмен өте биiк кiретiн импеданспен және ап-аласа шудың деңгейiмен айырмашылығы болады. Ол сондықтан тюнер-күшейткiштердiң кiретiн каскады үшiн жақсы жақындайды. 
 

Кемшiлiк және сенiмдiлiк.

Мұндай телефон, спутниктi, автомобилдiк және өнеркәсiптiк жабдық, транзисторлардан сенiмдiлiктiң деңгейi өте биiк керек болатын қолдануларда. Мысалы, сыпайы АТС миллион (транзисторлар соның iшiнде, резистор және конденсаторлар) компоненттердiң жанында есептейдi. Олар жылда компонентке жұмыс нәтижесiнiң 1010 шақты чтарын жинайды. Жұмыс нәтижесiнiң сағатының миллиардына бiр ақау - iстен шығулардың қарқындылығы қажет және қол жетерлiк дәл қазiр - айды шамамен бiр қабыл алмауға сәйкес келедi.

Ақауларды екi түрлер бар болады: (берiк емес бекiту және жарық микрокристаллған мұндайлар мерзiмдi мiндерiмен) кенет және (қай түйiскен материалдардың диффузиясы және шалағай процесстермен шақыра алады, және де онда тағы басқалар температуралық үдеуге ұшыраған) бiртiндеп. Кенет ақаулардың еншiнiң типтi транзисторлары үшiн 0, 1% жете алады. Мұндай ақаулар бiрақ транзистордың жұмысының бастапқы кезеңдерiнде әдетте болады. Мысалы, ерекше маңызды жүйелердiң спутниктi, кенет ақаулары үшiн транзисторлар туралы қашан жүктемемен жылдамдатылған температуралық қартаю немесе қартаюға сынаулары жолымен елеп аршуға боладуға сөз болады, сонымен бiрге термоциклирования жолымен. Мұндай әдiстер дегенмен тек қана ерекше жауапты жабдықтың жағдайларында арзиды.(бұзылу қашан жинақталады) бiртiндеп қабыл алынбаулар iргелi сипаттан астам тасысады. Кремнидi iшкi шекарада сабақтас зарядтың әсер етуiнiң мәннiң кейбiреулерi бiр жағынан - диоксид немесе заряд басып қалуға қабiлеттi шалағай күйлерден, шалағай зарядтың эффекттерiмен жинақтап атау мүмкiн олардың негiзiнде жинақтап атау мүмкiн жататын эффекттер; мысалы, бұл диоксидте немесе сыртта жылжымалы иондар немесе ластануларының натридың жылжымалы ион бар болуға қатысты эффекттерiн бола алады. Қиындық, сабақтасы әр түрлi шалағай зарядтармен әйтсе де, негiзiнде шеттеткен. Ескертiлген шалағай эффекттерге бақылау мұндай сапалы iстелiнген құралдардағы олары мәселелердi ұсынбайтын деңгейге дейiн және транзисторыpnp алып жүрген - түр сонша сенiмдi, сонымен қатар npnның транзисторлары - түр.Транзистордың қызмет мерзiмi пластмасса тығыз бекiтiлген құралдардың бет бiлiгетiн металлдық корпус тығыз бекiтiлген құралдардың газдық орта болып қалатын ылғал әрдайым қысқартады. Ылғал шалағай ластануларға қунақылықты беруге және өткiзушi каналдардың пайда болуына нақ сол келтiре алады. Бұл транзистор незагерметизированныйға жылжу алып берiп және оған дем алып бiлдiруге болады. Егер транзистордың беттерiне болады үлкен заряд жеткiлiктi, онда ағып кетудi тоқ үлкеедi және өткiзушi канал бiлiмге көрсететiн сынақ құбылыстар екпiндейдi. Бiрақ кернеудi түсуге болады және транзистор өз мiнездемелерiн қалпына келтiредi ретiнде беттi құрғату.Сонымен бiрге ылғал электродтың металлының электролиттiк коррозиясын шақырады. Алтын (химия жуғыш затын иондық қалдықтың түрiнде әдетте, флюс немесе улайтын ерiтiндi) хлордың аз сандары тiптi қатысуымен коррозияға ұшырайды.Жоғары жиiлiктi транзисторлар және Моп - құрылым статикалық электрдiң дәрежелерiмен оңай бұзады. Олардың қорытындылары мұндай бұзылуданғы қорғаулары үшiн уақытша қоймалық сақтау және тасымалдауларды қысқа жалғастырады.