Транзистор

    Бұдан әрi Германия бетi сiлтiлiк ерiтiндiде жеңiл дәрiлеулермен тұрақтандырады.Содан соң транзистор тексерiлетiн дымқылдығы бар қыздырылған ауаларда кептiредi және тығыз бекiтедi. Iшiнде тығыз бекiтiлген шыны метал корпусы геттер ылғал сорғышында болады - кеуектi шынының кесегi әдетте.Дымқылдыққа бақылау өте маңызды, өйткенi күшейту коэффициентi және дайын транзистордың ағып кетуiнiң тоқтары өткел Германия бетiндегi дымның санынан осы маңай күштi тәуелдi болады.Ағызатын германи транзисторы (аласа және орташа жиiлiктердiң диапазоны үшiн) жақсы электрондық кiлтпен қызмет көрсете алады, коллектор және эмиттердiң күштi қоспасыз болат облыстары өйткенi ап-аласа (Омның еншiсi) кедергiлердi алады және ауыстырып қосылатын тоқтарды шек қоймайды. Оның шектi жиiлiгi дегенмен ол да бiрнеше ондаған мегагерцтердi аспайды. Өкiнiшке орай, мұндай транзистор жұмыс үшiн жарамсыз биiк температураларда жоғары 70 80 бе? C ) (қай температураның жоғарылатуында әрбiр 12ге екi есе өседi) ағып кетудi тоқтың үлкеюлерi артынан. Олар кремилiк транзисторлар, маңыздылау санның алдақашан келiп қойылы ағызатын өткелдерi бар германи транзисторына ауысымға арнайы қолданулар үшiн әлi өндiрiп алатындығымен, олар өйткенi салыстырмалы қымбат емес және төтеледегi эмиттердiң жылжуы үшiн үлкен кернеулер талап етпейдi. 
 

Диффузиялық германи транзисторлары.

Транзисторлардың өңдеуiнiң кезеңдерi ендi ерте керек өткелдiң жуандығының бақылауының басқа әдiсiнiң жоғары жиiлiктi мiнездемелердiң жақсартуы үшiн белгiлi болдыды. Мұндай әдiспен диффузияның әдiс болу болып саналды.Мән оны типыл тазалалған нәзiк Германия пластинкасы 650 болғанда екi сағат iшiнде шыдаған ба??сүрмелер көздiң әсерiмен C. Процесстiң ластануларынанғы беттiң қорғаулары үшiн сутегiнiң атмосферасында жүргiзiледi.) мкм жуандықпен негiздi жiк 1 шамасында нәтижеде құрастырады.Алюмини эмиттерi OK тереңдiкке балқытады. 0, 5 мкм. Вакуумдағы шаңдануды пластинканың бетiне жолақтың 12 мкмге эмиттер сақтап қалушы түрiндегi негiздi байланысу келтiрiледi.Айнала екi жолақтардың содан соң германиы пластинкада меза қатарды болып қалғанын кетiредi - әрбiрi (5-шi сурет) транзистордың белсендi элементтерiнде болатын құрылымдар.

Номиналды шектi жиiлiктi 0, 5 мкмдi базаларын жуандықтың жанында бұрынғы түрдiң құралға қарағандасы едәуiр көп 900 мгц жетедi. Бұл жетiстiк жоғары жиiлiктi транзистор өлшеулi схемаларды жобалауға мүмкiндiк бердi. Жоғары жиiлiктi германи транзисторлары байланыстың серiктерiнiң электрондық схемалары және су асты кабелдерiндегi қолдануларын тапты. Германия үшiн дегенмен сол сияқты негiзiнен, диффузиялық процесспен, және ол ағып кетудiң тоқтары шаманың реттерi қасында көп аз кремнимен ығыстыруға берiлетiн потенциалдық мүмкiндiктер iске асырылмады. Кремилiк транзисторлар сондықтан температураларда 150ге дейiн жұмыс iстей алады ма? 70ге дейiн бе?  

Екi полярлық планар транзисторлары.

Қазiргi кремилiк планар екi полярлық транзисторлары дискреттi компоненттерге схемаларыдан электрондық өнеркәсiпке германиларын толық ығыстырайын деп қалдыды және германиды тiптi қолданылмайтындығынан интегралды схемалардағы кең қолданылады. Термин планар барлық өткелдер олар кремнидiң диоксидiнiң ықтындыл жiк бола алатын бетке шығатынын бiлдiредi. Термин екi полярлық және электрондар екi түрлердi сақтаушыларды қолданылатынын бiлдiредi, және тесiк, дала транзисторларға қарағанда, туралы төменде айтылған.)

азiргi транзистордың пайда болуы болуы мүмкiн фотолитографияның арқасында табысты дамытуына болды, диффузия және кристаллдарды өсiру.Жалпы айтқанда, транзистор құрылымдарының екi түрлерi бар болады - көлемдi материалдан және эпитаксиаль.Бiрiншiсi шомбал кремниден пластинканың бетiнде жай ғана жасалады. Мұндай транзистор сол коллектордың үлкен бiртiндеп кедергiсiнiң ол кемшiлiк жағымсыз ауыстырып қосатын құрылымның жағдайында алады.Бұл кемшiлiк эпитаксиаль материалының қолдануында ( қай транзистор құрылымы жасала алады) биiк меншiктi кедергiсi бар кремни, екпе үстiнен жуан күштi қоспасыз болат материал қабаттай қабаттай болмайды - нәзiк. 

Эпитаксиаль транзисторлары.

Эпитаксиаль технологиясы транзисторлардың жұмыс диапазонын кеңейтуге мүмкiндiк бередi, Ключевоелер әсiресе, кiшiрейту есебiнен коллектордың кiшiрейту есебiнен бiртiндеп кедергiсi.Ол өсiруде үстiненнiң (белсендi элементтердiң құрастыруы үшiн жеткiлiктi) жартылай өткiзгiшi бастапқы (6-шы сурет) материал соның өзi қабаттай қабаттай негiзделген қылдай.Бұл эпитаксиаль жiгi бастапқы кристалды құрылымның жалғасы болады, бiрақ транзистордың жұмысы үшiн қажеттi қоспалауды деңгеймен қажеттi.Төс етегiнiң бетiндегi мiндерi қабаттай құрылымның әбден жетiлуiнде эпитаксиаль бiлiнетiндiгiнен, төс етектерiн күштi (легирлеушi қоспаны мазмұнға дейiн 0 шамасында, 1%) қоспалайды, мұқият мұқият жылтыратады және содан соң жуады.