Расчет параметров биполярного транзистора в режимах усиления и ключа

     2. По таблице основных сведений на ОУ выбрали микросхемы К140 УД1 и К140 УД5, частота единичного усиления которых не менее, чем в 3 раза превышает частоту входного сигнала.

     Для микросхемы К140 УД1:

                                                     Uвых мах =6В;    Iвых мах =3мА;   

     Для микросхемы К140 УД5

                                             Uвых мах =6,5В;      Iвых мах =3мА

     3. Определим сопротивление нагрузки R_{н имс}, на которое могут работать выбранные микросхемы, по отношению максимального выходного напряжения к максимальному – выходному току:

     Для микросхемы К140 УД1   R_{н имс} = 6/0,003 = 2 кОм

     Для микросхемы К140 УД5   R_{н имс} = 6,5/0,003 = 2,17 кОм 

     4. Определим амплитуду выходного сигнала по формуле:

     U_вых = 50*0,12 = 6В 

     5. Определим входное сопротивление микросхем:

     R_{вх имс} = U_{вх мах}/I_вх

     R_{вх имс 1} = 1,5/0,000001А = 1,5 МОм

     R_{вх имс 5} = 3/0,00001 = 0,3 Мом

     6. Выберем номиналы навесных элементов.

     R₁>10 R_ист

     R₁ = 1 кОм

     R₂ = 10 кОм 

     7. Из двух микросхем выбираем К140 УД1  , так как у нее наименьшие значения специфических параметров: Напряжение синфазной помехи и скорость нарастания.

     Принципиальная  схема К140 УД1 
 

     Фрагмент  разветвленной логической схемы: