Автор: Пользователь скрыл имя, 24 Января 2012 в 18:28, контрольная работа
В ходе проделанной работы были приобретены практические навыки решения задач по расчету основных свойств полупроводниковых приборов, на примере схемы с общим эмиттером. Были выбраны и рассчитаны основные параметры транзистора в ключевом (импульсном) режиме и режиме усиления.