Автор: Пользователь скрыл имя, 20 Декабря 2010 в 17:06, реферат
1 Виды импульсных источников электропитания
2 Структурная схема ИВЭП с активным корректором мощности (ККМ)
3 Элементная база для ИВЭП
4 Структурная схема управления преобразователя
Рисунок
2.15 -Классификация драйверов
Драйвер
должен иметь, по крайней мере, один
внешний вывод (в двухтактных
схемах два), который относится к
обязательным. Он может служить как
предварительным импульсным усилителем,
так непосредственно ключевым элементом
в составе импульсного источника питания.
В
качестве управляемого прибора в
силовых схемах различного назначения
могут применяться биполярные транзисторы,
МОП – транзисторы и приборы
триггерного типа (тиристоры, симисторы).
Требования, предъявляемые к драйверу,
осуществляющему оптимальное управление
в каждом из этих случаев различны. Драйвер
биполярного транзистора должен управлять
током базы при включении и обеспечивать
рассасывание неосновных носителей в
базе на этапе выключения. Максимальные
значения тока управления при этом мало
отличаются от усредненных на соответствующем
интервале. МОП – транзистор управляется
напряжением, однако в начале интервалов
включения и выключения драйвер должен
пропускать большие импульсные токи заряда
и разряда емкостей прибора. Приборы же
триггерного типа требуют формирования
короткого импульса тока только в начале
интервала включения, поскольку выключение
(коммутация) у наиболее распространенных
приборов происходит по основным, а не
управляющим электродам. Всем этим требованиям
в той или иной степени должны удовлетворять
соответствующие драйверы.
На
рисунках 2.16…2.18 представлены типовые
схемы включения биполярного
и полевого МОП – транзисторов
с использованием одного транзистора
в драйвере. Это так называемые
схемы с пассивным выключением силового
транзистора. Как видно из рисунка, по
структуре драйвера схемы эти вполне идентичны,
что позволяет использовать одни и те
же схемы для управления транзисторами
обоих типов. В этом случае рассасывание
носителей, накопленных в структуре транзистора,
происходит через пассивный элемент –
внешний резистор. Сопротивление его,
шунтирующее управляющий переход не только
при выключении, но и на интервале включения,
не может быть выбрано слишком малым, что
ограничивает скорость рассасывания заряда.
Для увеличения быстродействия транзистора и создания высокочастотных ключей необходимо снизить сопротивление цепи сброса заряда. Это осуществляется с помощью транзистора сброса, включаемого только на интервале паузы. Соответствующие схемы управления биполярным и МОП – транзисторами представлены на рисунке 2.17.
а)
б)
Рисунок
2.16 - Драйверы с пассивным выключением
силового транзистора
а)
б)
Рисунок
2.17 - Драйверы с тотемным выходом
Такую
схему управления принято называть
схемой с тотемным выходом (Totem pole), а
соответствующие транзисторы –
транзистором питания (Source) и сброса
(Sink).
Из
рисунка 2.18 видно, что тотемный выход
можно использовать не только для
непосредственного управления биполярными
и полевыми транзисторами, но и для управления
через развязывающий трансформатор. В
этом случае управление можно применять
для любой топологии конвертора (с развязанным
и не развязанным выходом), что делает
такую структуру особенно ценной и приводит
к широкому применению тотемных выходов
для управления МОП – транзисторами.
а)
б)
Рисунок 2.18 - Управление транзистором через развязывающий трансформатор