Конструирование и проектирование интегральных микросхем

     По  формуле (3.13):

     T_э=55+0,813+12,9+5=73,7 ^оС <85 ^оС

     Данные  по тепловому расчету резисторов приведены в таблице 7. 

Таблица 7 – Данные по тепловому расчету транзистора

     Таким образом, в результате проведения теплового  расчета самым теплонагруженным из рассматриваемых электрорадиоэлементов является транзистор, его рабочая температура в самых неблагоприятных условиях на 11.3 ^оС меньше предельно допустимой. 

     3.6.2 РАСЧЁТ НАДЁЖНОСТИ 

     Надежность  ИМС связана с использованием особо чистых материалов, использованием групповых методов обработки, меньшим количество межэлектрических соединений и пониженной мощности выделяемой на элементах.

     Пути  повышения надежности:

1. совершенствование электрической принципиальной схемы и повышение её качества;
2. применение более надежных навесных компонентов и материалов;
3. жесткий контроль и стабилизация техпроцесса.

     В ТУ на ИМС требование по надёжности определяется двумя параметрами:

1. интенсивность отказов по времени
2. вероятность безотказной работы Р(t)

      ,                          (3.15)

где

                                      (3.16)

     Вывод: интенсивность отказов ИМС в  заданном режиме и условиях работы не превышает заданной в ТУ.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ 

     В результате выполнения данного курсового проекта разработана конструкция ИМС и технологический маршрут ее изготовления в соответствии с заданной в техническом задании принципиальной электрической схемой.

     Выбрана технология изготовления ГИМС исходя из анализа технического анализа. Метод напыления пленок – комбинированный.

     Произведен  расчет геометрических размеров тонкопленочных резисторов и конденсатора с учетом технологических ограничений.

     Разработана топология и выбор корпуса  ИМС. Разработка эскиза топологии ИМС  и последующих вариантов топологии проведены согласно правилам проектирования [1]. Также произведен выбор корпуса 1206 (153.15 - 1) из числа унифицированных конструкций [1].

     Произведена проверка качества топологии. В результате теплового расчета самым теплонагруженным элементом является транзистор КТ206А. температура внешней среды 50 ^оС не является предельно допустимой и она может быть увеличена на 16,2 ^оС.

     Вероятность того, что микросхема не выйдет из строя  в течении 10000 часов, равна P(t)=99,3%

   Таким образом, после конструктивных расчётов и технологических операций, данную интегральную микросхему осталось только маркировать и упаковать, так как все ИМС должны быть упакованы в индивидуальную потребительскую тару, исключающую возможность их повреждения и деформацию выводов, и уложены в картонные коробки, куда вкладывают паспорт. После завершения этой операции данная микросхема полностью готова к выполнению своих функций.

   ЛИТЕРАТУРА 

1. Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок.–  М.: Радио и связь, 1989.– 400 с.
2. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование. Л.А. Коледов, В.А. Волков, Н.И. Докучаев и др. Под ред. Л.А. Коледова. – М.: Высшая школа, 1984.– 216 с.
3. Матсон Э.А., Крыжановский Д.В. Справочное пособие по конструированию микросхем. – Мн.: Высшая школа, 1983.– 271 с.
4. Парфенов О.Д. Технология микросхем [Текст] / О.Д. Парфенов.– М.: Высшая школа, 1986.– 319 с.

Приложение А