Автор: Пользователь скрыл имя, 13 Октября 2011 в 18:06, дипломная работа
Целью данной работы является расчет зонной энергетической структуры ГЭС-n-SiC/p-(SiC)1-x(AlN)x, и прогнозирование их свойств на основе рассчитанной энергетической диаграммы.
В связи с этим была поставленная следующая задача:
рассмотреть различные модели полупроводниковых гетеропереходов, механизмы проводимости, из сравнения теоретических и экспериментальных ВАХ найти модель, которая бы наиболее полно описывала экспериментальные данные ГЭС-n-SiC/p- (SiC)|.x(AlN)x.
рассчитать и проанализировать разрывы зон, изгибы зон и размеры переходных областей r3C-n-SiC/p-(SiC)1-x(AlN)x.
на основании этих расчетных данных построить энергетическую диаграмму n-SiC/p-(SiC)1-x(AlN)x для различных составов.
ВВЕДЕНИЕ 3
ГЛАВА 1. ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. 5
1.1. Эмиссионная модель n-р и р-п-гетеропереходов 6
1.2. Модели основанные на туннелировании (прямая ветвь). 11
1.3. Модели, основанные на туннелировании (обратная ветвь). 13
1.4. Механизмы рекомбинации и туннелирования в гетеропереходах. 15
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ПОЛУЧЕНИЯ И СВОЙСТВА SIC/(SIC)1-x(ALN)x. 19
2.1. Экспериментальная установка и методика получения. 19
2.2. Исследование свойств ГЭC-n-SiC/p-(SiC)1-x(AlN)x. 23
ГЛАВА 3. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ДИАГРАММЫ n-SIC/-(SIC)1-X(ALN)X 32
ВЫВОДЫ. 41
ЛИТЕРАТУРА 42