Контакт металл-полупроводник. Барьеры мотта и шотки

Контакт металл-полупроводник (КМП), обладающий как омическим, так и выпрямляющим свойством, является основным многофункциональным физическим элементом полупроводниковой электроники. Без преувеличения можно сказать, что в настоящее время трудно найти современные электронные устройства, в которых не применялись бы КМП приборы или в качестве дискретных полупроводниковых приборов, или же составных элементов интегральных схем. В качестве примера можно привести целое семейство диодов Шоттки (ДШ), различные транзисторы с ДШ, датчики температуры и давления, солнечные элементы, тиристоры, акустоэлектрические приборы и т.д.

Введение 5
1 Общие положения 6
1.1 История вопроса 6
1.1.1 Классическая модель Шоттки 7
1.1.2 Модель Мотта 7
1.1.3 Модель Бардина – Хейне 8
1.2 Зонные диаграммы контакта «металл – полупроводник». Механизм образования барьера 8
2 Эффект шоттки 14
3 Механизмы токопрохождения в выпрямляющем контакте «металл – полупроводник» 17
3.1 Теория термоэлектронной эмиссии 18
3.2 Диффузионная теория 19
3.3 Термоэмиссионно-диффузионная теория 20
3.4 Теория полевой и термополевой эмиссии 21
4. Электрофизические характеристики идеального выпрямляющего контакта «металл – полупроводник» 23
4.1 Вольт – амперная характеристика 23
4.2 Полное сопротивление и эквивалентная схема контакта 23
4.3 Частотные свойства контакта 25
4.4 Емкостные свойства контакта 26
5. Современные модели реальных контактов «металл – полупроводник» 28
Заключение 29
Список используемых источников 30