Лекции по "Схемотехнике аналоговых устройств"

Автор: Пользователь скрыл имя, 18 Февраля 2013 в 00:47, курс лекций

Описание работы

1. Принцип электронного усиления и классификация усилителей
2. Основные показатели качества усилительных устройств
3. Анализ работы УК с помощью ВАХ
4. Критерии выбора положения ИРТ
5 Принципы обеспечения заданного положения ИРТ

Работа содержит 45 файлов

1 Принцип электронного усиления и классификация усилителей.pdf

— 185.87 Кб (Открыть, Скачать)

10 Линейные искажения в усилителях переменного сигнала.pdf

— 126.85 Кб (Открыть, Скачать)

11 Влияние дестабилизирующих факторов на работу транзисторно.pdf

— 112.25 Кб (Открыть, Скачать)

12 Структурная схема усилительного тракта с однопетлевой ОС.pdf

— 352.95 Кб (Открыть, Скачать)

13 Правила определения петлевой передачи в схемах с ОС.pdf

— 232.15 Кб (Открыть, Скачать)

14 Влияние ООС на параметры усилительного тракта.pdf

— 107.58 Кб (Открыть, Скачать)

15 Стабилизирующее влияние ООС на КУ и положение ИРТ.pdf

— 258.27 Кб (Открыть, Скачать)

16 Линеаризующее влияние ООС и ее влияние на ход АЧХ.pdf

— 219.65 Кб (Открыть, Скачать)

17 Проходная проводимость, ее влияние на входные свойства ус.pdf

— 242.89 Кб (Открыть, Скачать)

18 Принципы построения многокаскадных усилительных трактов.pdf

— 342.97 Кб (Открыть, Скачать)

19 Типовые многотранзисторные каскады.pdf

— 286.13 Кб (Открыть, Скачать)

2 Основные показатели качества усилительных устройств.pdf

— 219.62 Кб (Открыть, Скачать)

20 Дифференциальный усилительный каскад.pdf

— 229.03 Кб (Открыть, Скачать)

21 ГСТ, ТЗ и их применение в ДУ.pdf

— 310.20 Кб (Открыть, Скачать)

22 Источники опорного напряжения и схемы сдвига уровня.pdf

— 285.23 Кб (Открыть, Скачать)

23 Однотактные оконечные каскады усиления.pdf

— 393.58 Кб (Открыть, Скачать)

24 Двухтактные оконечные каскады усиления.pdf

— 239.52 Кб (Открыть, Скачать)

25 Схемотехника оконечных каскадов усиления.pdf

— 309.86 Кб (Открыть, Скачать)

26 Оконечные усилители класса D.pdf

— 178.41 Кб (Открыть, Скачать)

27 Частотные свойства транзисторов.pdf

— 179.62 Кб (Открыть, Скачать)

28 Влияние паразитных емкостей схемы на формирование АЧХ в о.pdf

— 101.45 Кб (Открыть, Скачать)

29 Принципы организации частотной коррекции.pdf

— 180.78 Кб (Открыть, Скачать)

3 Анализ работы УК с помощью ВАХ.pdf

— 173.15 Кб (Открыть, Скачать)

30 Анализ ВЧ-коррекции с частотно-зависимой нагрузкой.pdf

— 118.02 Кб (Открыть, Скачать)

31 Анализ ВЧ-коррекции с частотно-зависимой ОС.pdf

— 109.03 Кб (Открыть, Скачать)

32 Операционные усилители и их свойства.pdf

— 193.60 Кб (Открыть, Скачать)

33 Типовые схемы включения ОУ.pdf

— 174.79 Кб (Открыть, Скачать)

34 Методика приближенного анализа схем на ОУ.pdf

— 100.80 Кб (Открыть, Скачать)

35 Схемы обработки сигнала с трехполюсником в цепи ОС.pdf

— 156.46 Кб (Открыть, Скачать)

36 Выходное сопротивлениие схем на ОУ с глубокой ООС.pdf

— 111.83 Кб (Открыть, Скачать)

37 Дифференциальные усилители на ОУ.pdf

— 184.03 Кб (Открыть, Скачать)

38 Преобразование сигнальных токов в сигнальные напряжения.pdf

— 122.50 Кб (Открыть, Скачать)

45 Компараторы сигналов.pdf

— 222.11 Кб (Открыть, Скачать)

39 Сумматоры напряжения на ОУ.pdf

— 120.77 Кб (Открыть, Скачать)

4 Критерии выбора положения ИРТ.pdf

— 117.52 Кб (Скачать)
Page 1
1
Критерии выбора положения ИРТ
Исходной рабочей точкой (ИРТ) называется точка на плоскости выход-
ных ВАХ транзистора, связывающая ток коллектора и напряжение коллек-
тор-эмиттер при отсутствии сигнальных воздействий.
На выбор положения ИРТ накладывается ряд ограничений.
1. Необходимо следить за тем, чтобы ток коллектора и напряжение кол-
лектор-эмиттер не превышали предельно допустимых значений, разрешен-
ных для данного полупроводникового прибора (I
к
<I
кмакс
, U
кэ
<U
кэмакс
). Эти
ограничения графически изображаются прямыми линиями, параллельными
осям ВАХ (рис. 1).
Рис. 1
Кроме того необходимо, чтобы постоянная мощность, рассеиваемая на
коллекторном переходе, не превышала предельно допустимого значения P
к
=
I
к
U
кэ
< P
кмакс
. На рисунке этот факт отражен параболой.
2. В зависимости от состояния переходов транзистора различают 4 ре-
жима работы: активный, инверсный, режим отсечки и режим насыщения, что
наглядно иллюстрируется рис. 2. На этом рисунке положительные значения
напряжения на переходах условно соответствуют их открытому состоянию
(прямому смещению), а отрицательные напряжения – закрытому состоянию
или обратному смещению.

Page 2

2
Рис. 2
Для использования транзистора в качестве усилительного прибора необ-
ходимо обеспечить активный режим работы, которому соответствует обрат-
ное смещение перехода коллектор-эмиттер и прямое смещение перехода
эмиттер-база. Режим отсечки характеризуется малым током коллектора (ток
базы не оказывает управляющего воздействия на ток коллектора), а в режиме
насыщения недопустимо малым становится напряжение коллектор-эмитттер.
С учетом этого на рис. 1 отмечено еще две линии – насыщения и отсеч-
ки, ограничивающие допустимую область положения ИРТ.
Таким образом для выбора положения ИРТ допустимой оказывается не-
заштрихованная область (рис. 1).
3. Положение ИРТ в допустимой области диктуется видом усиливаемых
сигналов.
При работе с сигналами большой интенсивности, имеющими двусто-
ронние отклонения мгновенных значений от состояния покоя ИРТ необхо-
димо выбирать из соображений неискаженной передачи сигнала в выходную
цепь, то есть вблизи центра допустимой области выходных ВАХ (рис. 3)

Page 3

3
Рис. 3
В этом случае при правильном выборе сопротивления нагрузки двусто-
ронние отклонения выходного тока коллектора и напряжения коллектор-
эмиттер будут иметь значительные величины, но не будут достигать запре-
щенных областей.
При работе с малыми сигналами выбор положения ИРТ более произво-
лен. В этом случае целесообразно располагать ИРТ в области небольших
значений тока коллектор и напряжения коллектор-эмиттер, но следить за тем,
чтобы малые сигнальные отклонения выходных тока и напряжения не приве-
ли к выходу РТ за пределы допустимой области. Пример выбора положения
ИРТ при усилении слабых сигналов приведен на рис. 4.

Page 4

4
Рис. 4
Иная ситуация складывается при работе односторонними импульсными
сигналами большой интенсивности. В этом случае необходимо устанавли-
вать ИРТ в области больших начальных напряжений или больших начальных
токов (рис. 5,6).
Рис. 5

Page 5

5
Рис. 6
Конкретный выбор определяется полярностью (направлением) измене-
ния сигнала при импульсном воздействии. Как видно из рисунка, можно ор-
ганизовать работу с сигналами как положительной, так и отрицательной по-
лярности. Однако на практике при работе с импульсными сигналами реко-
мендуется обеспечивать работу с малыми начальными токами коллектора,
чтобы сигнальные воздействия приводили к увеличению тока. На рис. 6 эта
рекомендация соответствует усилению отрицательных по выходу импульсов
напряжения.
Если ставится задача обеспечить положительные по выходу импульсы
напряжения, то можно применить транзистор другого типа проводимости.

40 Простейшие частотно-селектирующие цепи на ОУ.pdf

— 276.70 Кб (Открыть, Скачать)

41 Нелинейные устройства на базе ОУ.pdf

— 252.18 Кб (Открыть, Скачать)

42 Активные выпрямители и амплитудные детекторы на базе ОУ.pdf

— 205.78 Кб (Открыть, Скачать)

43 Генераторы стабильных токов на ОУ.pdf

— 122.06 Кб (Открыть, Скачать)

44 Работа ОУ с переменными сигналами, питание от одного исто.pdf

— 173.69 Кб (Открыть, Скачать)

5 Принципы обеспечения заданного положения ИРТ.pdf

— 181.59 Кб (Открыть, Скачать)

7 Способы включения БТ в схему УК.pdf

— 131.20 Кб (Открыть, Скачать)

6 Малосигнальный режим работы и малосигнальные параметры БТ.pdf

— 166.35 Кб (Открыть, Скачать)

8 Свойства транзисторных каскадов при незаземленности общего.pdf

— 96.58 Кб (Открыть, Скачать)

9 Каскады усиления переменного сигнала.pdf

— 107.65 Кб (Открыть, Скачать)

Информация о работе Лекции по "Схемотехнике аналоговых устройств"