Российский академик Леонид Келдыш – лауреат первой Международной премии в области нанотехнологий

Российский  академик Леонид Келдыш – лауреат первой Международной премии в области нанотехнологий 
 
 

                                                        Леонид Келдыш 

Талантливый учёный, признанный специалист в области  физики твёрдого тела и полупроводников, автор теоретических работ, ставших  классическими, Леонид Вениаминович Келдыш первый среди российских физиков  в 2001 году был удостоен негосударственной  общенациональной премии «Триумф». Получению  этой награды предшествовали годы напряжённого труда, требовавшего полной отдачи сил, целеустремлённости, верности своему делу.  
 
Л.В. Келдыш родился 7 апреля 1931 года в Москве. В 1954 году он окончил физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова. Большая часть жизни учёного связана с Физическим институтом Академии наук им. П.Н. Лебедева (ФИАН). В 1957 году Леонид Вениаминович начал работать научным сотрудником. После защиты докторской диссертации в 1965 году стал старшим научным сотрудником, ещё через три года — заведующим сектором. С 1989 по 1993 год был директором института, а с 1994-го является главным научным сотрудником Отделения теоретической физики ФИАН.  
 
В 1968 году Л.В. Келдыша избрали членом-корреспондентом, а в 1976-м — академиком АН СССР. В 1991—1996 годах он занимал пост академика-секретаря Отделения общей физики и астрономии РАН.  
 
Научные работы Леонида Вениаминовича 1950-х годов посвящены проблемам полупроводниковой электроники. Они послужили развитию так называемой «неупругой туннельной спектроскопии». Дальнейшие экспериментальные исследования привели к созданию нового подхода в изучении взаимодействия мощного лазерного излучения с атомами, молекулами и твёрдыми телами. Большой резонанс вызвала одна из работ учёного, предсказавшая неожиданное явление — сдвиг края поглощения в кристаллах в электрическом поле. Впоследствии оно было подтверждено экспериментально и стало носить его имя — эффект Франца — Келдыша.  
 
Для теоретического описания состояний и кинетики сильно неравновесных квантовых систем Леонид Вениаминович Келдыш разработал специальную диаграммную технику. Она нашла широкое применение в физике низких температур и квантовых жидкостей, физике металлов, полупроводников и наноструктур, лазерной физике, квантовой теории поля, квантовой космологии.  
 
Работы Л.В. Келдыша сыграли важную роль в развитии физики твёрдого тела, послужили источником и основой ряда научных направлений. В настоящее время учёный продолжает исследования в области теории конденсированных сред. На протяжении многих лет Леонид Вениаминович ведёт активную педагогическую и просветительскую деятельность. В 1962 году он стал профессором Московского физико-технического института, в 1965-м — профессором МГУ, а в 1978-м возглавил кафедру квантовой радиофизики физического факультета МГУ им. М.В. Ломоносова. По созданным им пособиям училось не одно поколение физиков-теоретиков. Его блистательный курс «Взаимодействие электромагнитного излучения с веществом» в 1989 году был издан в виде учебника. Л.В. Келдыш подготовил более 20 кандидатов и более 10 докторов наук. Среди его учеников есть известные учёные, заслужившие академические звания и награды.  
 
Леонид Вениаминович Келдыш — член редколлегий нескольких журналов, член Комиссии по государственным премиям РФ, член Координационного совета по научно-техническим программам в области фундаментальной физики и астрономии. Он опубликовал более 200 научных трудов и три монографии. Его достижения получили широкое признание как у нас в стране, так и за рубежом. В 1975 году учёный был награждён орденом Трудового Красного Знамени, в 1985-м — орденом Октябрьской Революции. Л.В. Келдыш является лауреатом премии им. М.В. Ломоносова АН СССР (1964), Ленинской премии СССР (1974), премии Hewlett-Packard Prise Европейского физического общества (1975), премии им. Александра Гумбольдта (1994). В 1997 году ему было присвоено почётное звание Рентгеновского профессора Вюрцбургского университета.

Российский академик Леонид Келдыш удостоен первой международной  премии в области нанотехнологий RUSNANOPRIZE-2009. 3 млн рублей – таков ее размер – ученый разделит с американским профессором Альфредом И Чо. Высокая награда присуждена физикам за разработку «Полупроводниковых сверхрешёток и технологии молекулярно-лучевой эпитаксии».

Академик Леонид Келдыш – признанный специалист в области физики твердого тела и полупроводников, автор теоретических работ, ставших классическими. Он работает в Физическом институте им. Лебедева. Еще в 1962 году ученый опубликовал первые теоретические работы, предсказавшие перспективность применения периодических полупроводниковых наноструктур для электроники и оптоэлектроники. Работы академика Келдыша стали отправной точкой для разработки технологии, позволяющей выращивать наноструктуры с атомной точностью. О принципиальном значении таких разработок говорит коллега ученого, академик Юрий Копаев:

«Вы вот хотите реализовать какое-то свойство. Берете известные вам кристаллы, полупроводники, металлы и смотрите, что этот хорош, с одной стороны, но с другой — не подходит, это свойство нужно, а это мешает. А здесь вы поставили задачу — реализовать какое-то свойство. И вы под это свойство рассчитываете, какая должна быть искусственная структура, в каком порядке расположены атомы, сколько их, чтобы нужное свойство возникало само собой. Вы специально под это свойство эту структуру вырастили».

Например, «в очень  глубоком вакууме на подложке какого-то вещества, – рассказывает академик Копаев, — растится искусственная структура, ее называют гетероструктурой. Это своеобразный «пирожок», в котором чередуются под контролем приборов атомные слои различных веществ». Новая технология получила название «молекулярно-лучевой эпитаксии». Сегодня она широко применяется для производства сверхбыстродействующих элементов таких устройств, как сотовые телефоны и проигрыватели компакт-дисков, вычислительные системы и оптоволоконные коммуникационные сети, а также радары, спутниковые системы связи, телевидение и т.д. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Международная премия в области нанотехнологий RUSNANOPRIZE учреждена Государственной корпорацией «Российская корпорация нанотехнологий» (РОСНАНО) в 2009 году. Премия присуждается за научно-технологические разработки, изобретения и их внедрение в массовое производство по одному из четырех направлений — наноэлектроника, наноматериалы, нанобиотехнологии и нанодиагностика. Премия призвана содействовать широкому признанию разработок в этих передовых областях науки, внедренных в массовое производство. Вручение RUSNANOPRIZE нынешним лауреатам состоялась в Москве 6 октября 2009 года в рамках пленарного заседания Второго Международного форума по нанотехнологиям.