Автор: Пользователь скрыл имя, 02 Июня 2013 в 13:38, курсовая работа
Электрическая энергия, вырабатываемая первичными источниками, не всегда может быть непосредственно использована для питания электронной аппаратуры. Поэтому электропитание радиоэлектронной аппаратуры осуществляется средствами вторичного электропитания, которые подключаются к источникам первичного электропитания, преобразуют их переменное или постоянное напряжение в ряд выходных напряжений различных номиналов как постоянного, так и переменного тока с характеристиками, обеспечивающими нормальную работу РЭА в заданных режимах. Для выполнения этих задач в состав средств вторичного электропитания входят как сами источники питания, так я ряд дополнительных устройств, обеспечивающих их работу в составе комплекса РЭА.
Введение…………………………………………………………………….3
1 Выбор структурной схемы источника питания………………………...5
2 Выбор функциональной схемы источника питания……………………6
3 Выбор электрической принципиальной схемы источника питания…..8
4 Выбор и расчёт всех узлов проектируемого источника питания…….12
5 Моделирование узлов источника питания…………………………….26
Заключение………………………………………………………………...31
Литература…………………………………………………………………32
Проверяем выбор сопротивления соотношением:
;
Выбираем резисторы ОМЛТ-0,125 сопротивлением 39 кОм.
Определяем ёмкости конденсаторов и . Для этого определяем:
Отсюда находим:
Выбираем керамический конденсатор серии КМ-6 с параметрами , .
Выбираем керамический конденсатор серии КМ-6 с параметрами , .
4.6 Расчёт
схемы питания генератора
Для питания задающего генератора (мультивибратора) будем использовать отдельный блок, схема которого указана на рисунке 7.
Рисунок 7 – Схемы питания генератора импульсов
Блок питания представляет собой трансформатор, выпрямительный мост с ёмкостными фильтрами и стабилизатором напряжения DA1 на микросхеме КР1180ЕН5А с параметрами Uвых = 5В, Iн max = 1,5А.
Выбираем стандартный
Определим параметры диодов, входящих в мост:
Выбираем диоды Д229В с
Рассчитаем ёмкостной фильтр, стоящий после моста. Принимаем коэффициент пульсации на выходе фильтра К=0,03. Тогда:
Выбираем
алюминиевый оксидно-
Так как для микросхем серии КР1180ЕН5А ёмкость выходного фильтра необходимо принимать не менее 10 мкФ, принимаем и выбираем алюминиевый оксидно-электролитический конденсатор серии К50-20 с параметрами , .
4.7 Расчёт стабилизатора первого канала
Стабилизатор напряжения первого канала выполним на интегральной микросхеме LM109 в корпусе TO-3 с фиксированным выходным напряжением, защитой от перегрева и схемой защиты от перегрузок по току нагрузки. Параметры микросхемы:
Стандартная схема подключения микросхемы показана на рисунке 8.
Рисунок 8 – Стабилизатор первого канала
Конденсаторы и являются стандартной обвязкой данной микросхемы. Их ёмкости необходимо принимать . Выбираем оксидно-полупроводниковые конденсаторы серии К53-22 с параметрами , .
4.8 Расчёт стабилизатора второго канала
Стабилизатор напряжения второго
канала выполним в виде компенсационного
стабилизатора
Рисунок 9 – Стабилизатор второго канала
Данная схема состоит из регулирующего элемента, источника опорного напряжения, усилителя обратной связи и цепь защиты. Роль регулирующего элемента играет комплиментарный транзистор (состоит из двух транзисторов VT5 и VT6). Источник опорного напряжения –VD9, R5, R6, VT4. Усилитель обратной связи – R8, VD10, VT7,R9, R10, R11. Цепь защиты – VT8, R12.
Находим наименьшее напряжение на входе стабилизатора:
Uвх min = Uн + Uкэ 6 min = 60 + 3 = 63 B
где Uкэ 6 min – минимальное напряжение на регулирующем транзисторе VT6.
Исходя из того, что VT6 предположительно кремниевый, то Uкэ 6 min выбираем в пределе 3..5 В.
Учитывая нестабильность входного напряжения на входе стабилизатора ±10%, находим среднее и максимальное напряжение на входе стабилизатора:
Uвх ср = Uвх min / 0,9 = 60 / 0,9 = 67 В
Uвх max = 1,1 ´ Uвх ср = 1,1 ´ 67 = 74 В
Определяем максимальное значение напряжения на регулирующем транзисторе:
Uкэ 6 max = U вх max - Uн = 74 – 60 = 14 В
По значениям Uкэ 6 max, Iн, выбираем регулирующий транзистор. Выбираем транзистор КТ817А с параметрами , , , .
Находим ток базы транзистора VT6:
Iб 6 = Iн / h21Э 6 = 1 / 25 = 0,04 А
Определяем начальные данные для выбора транзистора VT5. Рассчитываем напряжение коллектор-эмиттер VT5:
Uкэ 5 max = Uкэ 6 max - Uбэ 6 max = 14 – 5 = 9 В
Ток коллектора VT5 состоит из тока базы VT6 и тока потерь, который протекает через резистор R7 (принимая IR7 = 5´10-3 А):
Iк 5 = Iб 6 + IR 3 = 0,04 + 5´10-3 = 0,405 А
По полученным значениям Uкэ 5 max, Iк 5, выбираем транзистор КТ817А с параметрами , , , .
Рассчитываем ток базы транзистора VT5:
Iб 5 = Iк 5 / h21Э 5 min = 0,405 / 25 = 16,2 мА
Находим сопротивление резистора R7:
R7 = (Uн + Uбэ 6) / IR7 = (60 + 5) / 5´10-3 = 13000 Ом
Выбираем резистор ОМЛТ-0,125 сопротивлением 13 кОм.
В качестве источника эталонного напряжения берем параметрический стабилизатор напряжения на кремниевом стабилитроне VD10 из расчета:
UVD10 = 0,7 Uн = 0,7 ´ 60 = 42 В
Выбираем стабилитрон КС528С с параметрами:
Uст ном = 43 В
Iст = 2,5 мА – средний ток стабилизации;
rст = 120 Ом – дифференциальное сопротивление стабилитрона.
Вычисляем сопротивление резистора R8 с учётом I R8 = I VD10:
R8 = 0,3 Uн / IR8 = 0,3 ´ 60 / 2,5´10-3 = 7200 Ом
Выбираем резистор ОМЛТ-0,125 сопротивлением 7,5 кОм.
Определяем начальные данные для выбора транзистора VT7. Рассчитываем напряжение коллектор-эмиттер транзистора:
Uкэ 7 max = Uн + Uбэ 6 + Uбэ 5 - UVD10 = 60 + 5 + 5 - 42= 28 В
Задаем ток коллектора VT7 меньшим, чем средний стабилитронаVD10:
Iк 7 = 1 мА
По полученным значениям Uк 7 max, Iк 7, выбираем транзистор КТ817А с параметрами , , , .
Рассчитываем ток базы VT7:
Iб 7 = Iк 7 / h21Э 7 min = 1´10-3 / 25 = 4´10-5 А
Ток последовательно соединенных резисторов R9, R10, R11 принимаем равным 5Iб 7 и определяем суммарное сопротивление делителя
Rдел = Uн / Iдел = 60 / (5 ´ 4´10-5) = 300 кОм
Находим сопротивления резисторов:
R9 = 0,3 Rдел = 0.3 ´ 300000 = 90 кОм
R10 = 0,1 Rдел = 0.1 ´ 300000 = 30 кОм
R11 = 0,6 Rдел = 0.6 ´ 300000 = 180 кОм
Выбираем резисторы серии ОМЛТ-0,125 сопротивлениями 91 кОм, 180 кОм и переменный резистор ППБ-15 сопротивлением 2,2 Ом – 47 кОм.
Рабочее напряжение стабилитрона VD9 определяем из соотношения:
UVD9 = 0,1 Uвх max = 0,1 ´ 74 = 7,4 В
Выбираем стабилитрон 1С175А с параметрами:
Uст ном = 7,5 В
Iст = 5 мА – средний ток стабилизации
rст = 16 Ом – дифференциальное сопротивление стабилитрона.
Вычисляем сопротивление резистора R5, с учётом I R5 = I VD9:
R5 = 0,9 Uвх max / IR5 = 0.9 ´ 74 / 5´10-3 = 13300 Ом
Выбираем резистор ОМЛТ-0,125 сопротивлением 13 кОм.
Определяем начальные данные для выбора транзистора VT4. Рассчитываем ток коллектора транзистора VT4:
Iк 4 = Iк 7 + Iб 5 = 1´10-3 + 16,2´10-3 =17,2 мА
Находим напряжение коллектор-эмиттер VT4:
Uкэ 4 max = Uвх max - UR6 + Uк 7 max - UVD10 = 74 - 2,4 + 28 - 42 = 58 В
где UR6 = UVD9 - Uбэ 4 = 7,4 - 5 = 2,4 В– падение напряжения на резисторе R6.
По полученным значениям Uкэ 4 max, Iк 4, выбираем транзистор КТ184В с параметрами , .
Рассчитываем сопротивление резистора R6:
R6 = UR6 / Iк 4 = 2,4 / 17,2´10-3 = 140 Ом
Выбираем резистор серии ОМЛТ-0,125 сопротивлением 150 Ом.
Для расчета схемы защиты принимаем ток срабатывания защиты равный 110% от Iн.
Iн max = 1,1 Iн = 1,1 ´ 1 = 1,1 А
Рассчитываем сопротивление R12, принимая Uбэ 8 = 5 В:
R12 = Uбэ 8 / Iн max = 5 / 1,1 = 4,5 Ом
Выбираем транзистор VT8 из условий:
Iк 8 = Iб 6 = 0,04 А
Uкэ 8 max =Uбэ 6 + R12´Iн max = 5 + 4,5 ´ 1,1 = 10 B
По полученным значениям Uкэ 8 max, Iк 8, выбираем транзистор КТ817А с параметрами , .
5 Моделирование узлов источника питания
Моделирование
узлов источника питания будем
производить с помощью
5.1 Моделирование помехоподавляющего фильтра
Рисунок 10 – Модель входного фильтра
Рисунок 11 – Полученные графики
5.2 Моделирование сетевого выпрямителя и сглаживающего
ёмкостного фильтра
Рисунок 12 – Модель сетевого выпрямителя и ёмкостного фильтра
Рисунок 13 – Полученные графики
5.3 Моделирование мультивибратора
Рисунок 14 – Модель мультивибратора
Рисунок 15 – Полученные графики
5.4 Моделирование схемы питания генератора импульсов
За неимением в библиотеке MicroCap микросхемы КР1180ЕН5А, в качестве стабилизатора напряжения будем использовать микросхему LM117.
Рисунок 16 – Модель схемы питания генератора импульсов
Рисунок 17 – Полученные графики
5.5 Моделирование стабилизатора второго канала
Рисунок 18 – Модель стабилизатора 2-го канала
Рисунок 19 – Полученные графики
Заключение
В ходе выполнения данного курсового проекта был разработан двухканальный вторичный импульсный источник питания с использованием однотактного преобразователя с прямым включением диода. Схема управления преобразователем была реализована на мультивибраторе. Каждый канал источника питания имеет схему защиты от перегрузки по току и от превышения напряжения на нагрузке, реализованную на микросхеме для первого канала и на дискретных элементах для второго. Узлы источника питания были смоделированы в программе Micro-Cap 7.0 и была произведена коррекция выбора элементов схемы.
Литература
Информация о работе Разработка импульсного вторичного источника питания