Полярные транзисторы

Зависимость крутизны характеристики от температуры у  полевых транзисторов такая же как и у тока стока. С ростом температуры ток утечки затвора увеличивается. Хотя абсолютное изменение тока незначительно, его надо учитывать при больших сопротивлениях в цепи затвора. В этом случае изменение тока утечки затвора может вызвать существенное изменение напряжения на затворе полевого транзистора и режима его работы. Температурная зависимость тока утечки затвора полевого транзистора с р-п переходом приведена на рис. 6.

рис. 6. Зависимость  тока утечки затвора полевого транзистора  от температуры.

В полевом транзисторе  с изолированным затвором ток  затвора практически не зависит  от температуры.

4.4. Максимально допустимые  параметры.

Максимально допустимые параметры определяют значения конкретных режимов полевых транзисторов, которые  не должны превышаться при любых  условиях эксплуатации и при которых  обеспечивается заданная надежность. К максимально допустимым параметрам относятся: максимально допустимое напряжение затвор - исток U_ЗИmax, затвор - сток U_ЗСmax, сток - исток U_СИmax, максимально допустимое напряжение сток - подложка U_СПmax, исток - подложка U_ИПmax, затвор - подложка U _ЗПmax. Максимально допустимый постоянный ток стока I _Сmax максимально допустимый прямой ток затвора I_З(пр)max, максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность Р_max.

4.5. Вольт – амперные  характеристики полевых транзисторов.

Рис. 7. Вольт  – амперные характеристики полевого транзистора со встроеным каналом n- типа: а – стоковые; б – стоко  – затворные.

Вольт - амперные характеристики полевых транзисторов устанавливают зависимость тока стока I _C от одного из напряжений U_СИ или U_ЗИ при фиксированной величине второго.

В МДП - транзисторе  с индуцированным каналом с подложкой  р-типа при U_ЗИ = 0 канал п-типа может находиться в проводящем состоянии. При некотором пороговом напряжении U_ЗИ.ПОР < 0 за счет обеднения канала основными носителями проводимость его значительно уменьшается. Статические стоковые характеристики в этом случае будут иметь вид, изображенный на рис. 7, а стоко - затворная характеристика пересекает ось ординат в точке со значением тока I_C.НАЧ.

Особенностью МДП - транзистора с индуцированным каналом  п - типа является возможность работы без постоянного напряжения смещения ( U _ЗИ = 0) в режиме как обеднения, так и обогащения канала основными носителями заряда. МДП - транзистор с встроенным каналом имеет вольт-амперные характеристики, аналогичные изображенным на рис. 7.

У МДП - транзисторов всех типов потенциал подложки относительно истока оказывает заметное влияние  на вольт -амперные характеристики и  соответственно параметры транзистора. Благодаря воздействию на проводимость канала подложка может выполнять функцию затвора. Напряжение на подложке относительно истока должно иметь такую полярность, чтобы р-п переход исток - подложка включался в обратном направлении. При этом р-п переход канал - подложка действует как затвор полевого транзистора с управляющим р-п переходом.

5. Рекомендации по  применению полевых транзисторов.

Рекомендации  по применению полевых  транзисторов. Полевые транзисторы имеют вольт-амперные характеристики, подобные ламповым, и обладают всеми принципиальными преимуществами транзисторов. Это позволяет применять их в схемах, в большинстве случаев использовались электронные лампы, например, в усилителях постоянного тока с высокоомным входом, в истоковых повторителях с особо высокоомным входом, в электрометрических усилителях, различных реле времени, RS - генераторах синусоидальных колебаний низких и инфранизких частот, в генераторах пилообразных колебаний, усилителях низкой частоты, работающих от источников с большим внутренним сопротивлением, в активных RC - фильтрах низких частот. Полевые транзисторы с изолированным затвором используют в высокочастотных усилителях, смесителях, ключевых устройствах.

В рекомендации по использованию  транзисторов для случая полевых  транзисторов следует внести дополнения:

1. На затвор полевых  транзисторов с р-п ( отрицательное для транзисторов с р - каналом и положительным для транзистора с п - каналом).

2. Полевые транзисторы  с изолированным затвором следует  хранить с закороченными выводами. При включении транзисторов в схему должны быть приняты все меры для снятия зарядов статического электричества. Необходимую пайку производить на заземленном металлическом листе, заземлить жало паяльника, а так же руки монтажника при помощи специального металлического браслета. Не следует применять одежду из синтетических тканей. Целесообразно подсоединять полевой транзистор к схеме, предварительно закоротив его выводы.