Физические процессы в диодах, стабилитронах и транзисторах

   Решение. Рассчитаем параметры в рабочей  точке при U_КЭ= -7,2 В и I_K0= 6 мА:

   

     [мСм]

     [Ом] 

     [Ом] 
 

   С помощью  найденных параметров определим  искомые значения по приближённым формулам.

   Коэффициент усиления по току , точнее:

   

   (сходится  с графо-аналитическим расчётом). 

   Входное сопротивление:

     [Ом]

   Коэффициент усиления по напряжению:

     

   Коэффициент усиления по мощности:

   K_P = |K_I K_U| = 33,3 ^. 8,75= 291,4

Задача  2.1.34.

Рассчитать, при  каких напряжениях U_ВХ транзистор в схеме, приведенной на рис. 2.9, будет находиться:                                                    

   а)  в режиме насыщения;                                                                         

   б)   в режиме отсечки;

   в)  в активном режим 
 

     

   Таблица 1                                                Таблица 2 

                                                                                                                   
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

   Решение.

   Из  исходных данных имеем, что транзистор является германиевым и обладает n-p-n переходом, так как и Е_к  > 0 соответственно.

   А) Для получения режима насыщения необходимо на вход ключа подать такое напряжение U_ВХ, при котором будет протекать ток:

   

   

   Выражая U_ВХ , получим:

     [В]

   Т.к  >0 следовательно в данной схеме n-p-n транзистор и условии

   отсечки примет вид U_Б<U_ПОР 

   Б)  Условие отсечки транзистора запишем в виде:

   

   откуда  следует:

   

     [В]

    [В] 

   В) Условие активного режима:

    .

     

Ответ:

в режиме насыщения:   [В]            

в режиме отсечки:     [В]            

в активном режим:      

Задача 2.2.13.

Полевой транзистор с управляющим р-n переходом и каналом n-типа используется в цепи усилительного каскада. По исходным данным определить: напряжение смещения затвор-исток U_ЗИ , крутизну транзистора в рабочей точке S, сопротивление резистора в цепи истока R₁, сопротивление нагрузки в цепи стока R₂, напряжение сток-исток U_СИ. 
 
 
 
 
 
 

   Таблица 1 

 

     Схема: 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

   Решение.

   Для решения задачи необходимо использовать основные соотношения для полевого транзистора с встроенным затвором:

   

   То  есть:

     [В]

     [Ом^-1]

   

     [кОм]

     [кОм]

     [В]

Ответ:

 [В]         [кОм]           [Ом^-1]

[В]         [кОм]

      
 
 
 
 
 

Вывод:

       Итак, в ходе работы, были изучены физические процессы в наиболее широко распространенных приборах – диодах и транзисторах, а также были рассмотрены вопросы и задачи, связывающие изучение физических процессов в твердотельных приборах с расчётами простейших электронных схем.

Список  литературы:

 
    

1. Бодиловский, В. Г. Полупроводниковые и электровакуумные приборы / В. Г. Бодиловский. – М. ; Транспорт,1986. – 433 с.
2. Гусев, В. Г. Электроника и микропроцессорная техника / В. Г. Гусев, Ю. М. Гусев. – М. : Высшая школа, 2006. – 788 с.