Физические процессы в диодах, стабилитронах и транзисторах
Курсовая работа, 29 Декабря 2011, автор: пользователь скрыл имя
Описание работы
Изучение курса «Физические основы электроники» является важным при подготовке специалистов в области автоматики, телемеханики, связи на железнодорожном транспорте.
Цель курсовой работы – связать изучение физических процессов в полупроводниковых приборах с практическими расчётами простейших электронных схем.
Объём курсовой работы представляет набор задач, в которых охвачены физические процессы в наиболее широко распространенных приборах – диодах и транзисторах.
Работа содержит 1 файл
курсовой 5 вариант.doc
— 678.00 Кб (Скачать)Решение. Рассчитаем параметры в рабочей точке при UКЭ= -7,2 В и IK0= 6 мА:
[мСм]
[Ом]
[Ом]
С помощью найденных параметров определим искомые значения по приближённым формулам.
Коэффициент усиления по току , точнее:
(сходится
с графо-аналитическим расчётом).
Входное сопротивление:
[Ом]
Коэффициент усиления по напряжению:
Коэффициент усиления по мощности:
KP = |KI KU| = 33,3 . 8,75= 291,4
Задача 2.1.34.
Рассчитать, при
каких напряжениях UВХ
транзистор в схеме, приведенной на рис.
2.9, будет находиться:
а)
в режиме насыщения;
б) в режиме отсечки;
в)
в активном режим
Таблица
1
|
|
Решение.
Из исходных данных имеем, что транзистор является германиевым и обладает n-p-n переходом, так как и Ек > 0 соответственно.
А) Для получения режима насыщения необходимо на вход ключа подать такое напряжение UВХ, при котором будет протекать ток:
Выражая UВХ , получим:
[В]
Т.к >0 следовательно в данной схеме n-p-n транзистор и условии
отсечки
примет вид UБ<UПОР
Б) Условие отсечки транзистора запишем в виде:
откуда следует:
[В]
[В]
В) Условие активного режима:
.
Ответ:
в режиме насыщения: [В]
в режиме отсечки: [В]
в активном режим:
Задача 2.2.13.
Полевой транзистор
с управляющим р-n переходом и каналом
n-типа используется в цепи усилительного
каскада. По исходным данным определить:
напряжение смещения затвор-исток UЗИ
, крутизну транзистора в рабочей точке
S, сопротивление резистора в цепи истока
R1, сопротивление нагрузки
в цепи стока R2, напряжение
сток-исток UСИ.
Таблица
1
|
Схема:
Решение.
Для решения задачи необходимо использовать основные соотношения для полевого транзистора с встроенным затвором:
То есть:
[В]
[Ом-1]
[кОм]
[кОм]
[В]
Ответ:
[В] [кОм] [Ом-1]
[В] [кОм]
Вывод:
Итак, в ходе работы, были изучены физические процессы в наиболее широко распространенных приборах – диодах и транзисторах, а также были рассмотрены вопросы и задачи, связывающие изучение физических процессов в твердотельных приборах с расчётами простейших электронных схем.
Список литературы:
- Бодиловский, В. Г. Полупроводниковые и электровакуумные приборы / В. Г. Бодиловский. – М. ; Транспорт,1986. – 433 с.
- Гусев, В. Г. Электроника и микропроцессорная техника / В. Г. Гусев, Ю. М. Гусев. – М. : Высшая школа, 2006. – 788 с.