Изобретение транзистора

      5. Начало применения и развития  транзисторов

      Транзисторы стали популярны с середины 1950-х  годов, когда они впервые были использованы для создания портативного радиоприемника. Базу для их миниатюризации создал американский физик и соучредитель компании Intel Роберт Нойс, после того как запатентовал первую монолитную интегральную схему. Идея производить схемы с увеличенным количеством транзисторов из тонких пластин кремния стала основополагающей для современной микроэлектроники. С момента изобретения интегральных схем в 1958 году дальнейшее их развитие определялось наблюдением Гордона Мура, одного из основа-телей Intel. Он высказал предположение, что число транзисторов на микросхеме будет удваиваться каждые два года. Прогноз специалиста был назван в его честь — законом Мура. Однако, по его мнению, у подобной минимизации есть и границы, на которые она натолкнется в районе 2025 года.

      Впрочем, возможные способы дальнейшего  увеличения числа транзисторов и  их минимизации уже не раз обсуждались. Например, есть мнение, что со временем объем чипов снова станет больше или они будут накладываться  друг на друга. В любом случае количество транзисторов в мире будет продолжать расти в астрономических масштабах 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Анализ источников 

Первичный список литературы по теме

1. Новиков М.А.  Олег Владимирович Лосев  - пионер  полупроводниковой электроники// Физика  Твердого тела. 2004. Том 46. Книга о достижениях советского инженера в области исследования полупроводников, непосредственно позволивших создать транзистор

 2. http://www.porticus.org/bell/ - сайт лаборатории в которой был разработан и собран первый транзистор. Содержит информациию различных ученых Bell Labs, принимавших участие в создании  и по сей день развивающих транзисторные технологии. Имеется информация по всем периодам развития.

3. http://www.porticus.org/bell/pdf/brattain_lab_notebook.pdf - записная книжка Браттейна,  одного из непосредственных авторов получивших Нобелевскую премию. Содержит описание периода создания самого первого транзистора.

4. Willian F Brinkman, Douglas E. Haggan, William W. Troutman. A History of the Invention of the transistor and Where it will lead us// IEEE Journal of Solid-State Circuits. Vol 32, No 12  1997 - статья инженеров журнала Твердотельных Микросхем о изобретении и свойствах транзистора с анализом переспектив развития и использования.

5. Andrew Emmerson. Who Really Invented Transistor? www.radiobygones.com- статья о вкладе различных ученых помимо инженеров Bell Labs в изобретение транзистора

6. http://ru.hw-lab.com/intel-22-nm-3d-tri-gate-some-details.html - доклад о достижениях инженеров компании Intel позволяющее оценить перспективы и текщий уровень развития транзисторных технологий. 
 
 

      Во  всех источниках предоставлено описание предпосылок появления транзистора  и этапов его развития. Но стоит  заметить, что развитие продолжается и сейчас, поэтому появляются статьи с описанием и детальным обзором внедряемых инноваций (например intel 3D tri-gate) и перспектив развития.  

Основные термины  используемые в литературе:

PCMagazine(http://www.pcmag.com/):

Транзистор  - прибор используемый для усиления,преобразования, генерирования электрическиз сигналов, позволяющих осуществять манипулироване током с помощью входного электрического сигнала. В мире современной вычислительной техники транзистор является двоичным переключателем и основа цифровых схем.  

Словарь Ожегова (аналогичное  у Ефремовой):

Транзистор - полупроводниковый  прибор, усиливающий, генерирующий и  преобразующий электрические колебания. 

Википедия:

Транзи́стор (англ. transistor) — электронный прибор из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов 

Биполярный  транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. 

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. 

Полупроводники́ — материалы, которые по своей удельной проводимости занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками и отличаются от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и различных видов излучения. Основным свойством этих материалов является увеличение электрической проводимости с ростом температуры 

p-n-перехо́д (n — negative — отрицательный,  электронный, p —  positive — положительный,  дырочный), или электронно-дырочный  переход — область пространства на стыке двухполупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. p-n переход является основой для полупроводниковых диодов, триодов и других электронных элементов с нелинейной вольт-амперной характеристикой. 

Пожалуй, наиболее общее определение: транзистор это - полупроводниковый прибор для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний, выполненный на основе монокристаллического полупроводника (преимущественно Si или Ge), содержащего не менее трех областей с различной - электронной (n) и дырочной (p) - проводимостью.