Автор: Пользователь скрыл имя, 20 Октября 2011 в 02:52, курсовая работа
В курсовій роботі с курсу «Матеріалознавство радіоапаратів» мені було запропоновано вирішити задачі по діелектрикам 2-4 та по напівпровідникам 5-7. В завданні №1 потрібно охарактеризувати особливості та застосування електротехнічних паперів і картонів. Максимально застосувати быльшість законів, що потрібні для розрахунку провідників, напівпровідників, та матеріалів що входять до них. Виходячи с отриманих даних необхідно, дивлячись до завдання задачі, побудумати графік, що буде графічно зоображувати залежність тих чи інших данних. Для розрахунку теплового пробою застосувати теорію Фока, також визначення рівня Фермі, закон Ома у різних його формах. При закінченні розрахунків зробити висновок по виконаній роботі.
Вступ ………………………………………………………………….……............3
1.Основні види електротехнічних паперів і картонів, галузі застосування…4
2.Діелектрична проникність складних діелектриків ………………….………..10
3.Визначення параметрів конденсатора ……………………………….………..14
4.Дослідження пробою діелектрику …………………………………….………16
5.Визначення параметрів напівпровідників ……………………………….……18
6.Розрахунок плавкого запобіжника ……………………………………….……19
7.Визначення магнітної проникності деяких магнітних матеріалів…………..20
Висновок ……………………………………………………….…………..…..22
Список використаної літератури……………………………….………..…....23
Розв’язок
Дано:
ε = 6,0tgδ = 0,06ρv = 1010 Ом·мρs = 1010 Ом/мa b = 20 40мм2d = 4 ммU = 2500 Вω1 = 50 Гцω2 = 400 Гц |
Pa
- ?
Rіз - ? Paf - ? C - ? |
Розрахунки.
Ємність конденсатора :
C = ε*εo*S / d
С – ємність, ε – відносна діелектрична проникність, εo – електрична постійна, S – площа пластини, d – довжина пластини
Опір ізоляціі можна знайти із відношення:
Rиз = Rs*Rv / (Rs + Rv)
Rs – поверхневий опір, Rv – об’ємний опір.
Rv = ρv * d / S
Rs = Rs1*Rs2 / (2Rs1 + 2Rs2)
Rs1 = ρs *
d / a Rs2 = ρs *
d / b
S – переріз діелектрика, d – відстань між електродами, ρs – питомий поверхневий опір, ρv – питомий об’ємний опір.
S = a * b
Силу струму знайдемо із закона Ома:
I = U / Rіз
Активну потужність можна знайти по силі струму і напрузі:
Pa = U * I
Для змінного струму активна потужність знаходиться через частоту, вугол діелектричних утрат і напругу:
Paf = U2* ω*C*tgδ
ω = 2π*f
Розрахунки:
4.
ДОСЛІДЖЕННЯ ПРОБОЮ
ДІЕЛЕКТРИКА
Діелектрик
конденсатора утворюється двома
шарами матеріалу поліетилен товщиною
2 мм кожний, між якими є повітряний зазор
товщиною 3мм. До діелектриків підведена
поступово зростаюча напруга. При якій
напрузі відбувається пробій конденсатора?
Як зміниться пробивна напруга, якщо повітряний
зазор змінити на ізоляторний
фарфор? Електричну міцність повітря
прийняти рівною 10кВ/см.
Ізоляторний фарфор – це ізоляційний матеріал. Володіє великим питомим електричним опіром. Хімічно стійкий.
Розв’язок
Дано:
ε1 = 4,2 ε2 = 3,0 εвозд = 1,006 Eпр1 = 90*106 В/м Eпр2 = 20*106 В/м Eпр пов = 106 В/м d1 = 0,005 м d2 = 0,002 м |
Uпр1 - ?
Uпр2 - ? |
Якщо між двома шарами діелектрика повітря, то утворюється відношення
ε1Eпр1 = ε2Eпр2 = ε1Eпр.возд = εE
В даному відношенні пробій не відбуваеться де Е = U/d. Підставимо в загальну формулу і отримаем:
ε2Eпр2 = U/d
Знайдемо пробивну напругу в конденсаторі з повітряним зазором:
Uпр = ε2 * Eпр2 * d / ε
Повітря змінемо на слюду-флогопит і повторно визначим пробивну напругу, для цього спочатку знайдем діелектричну проникність по формулі: ε = ε1 * ε2 / (ε2 * 2 * N1 + ε1 * N2)
Об’ємні концентрації
рівні: N1 =0,29; N2 = 0,42
1) Пробивна напруга повітря:
ε = 4,2 * 1,006 / (1,006 * 2 * 0,29 + 2,3* 0,42) = 1,49
Uпр.возд =
1,006 *106 * (2 + 2 + 3) *
10-3 / 1,49 = 4,73 * 103 (В)
2) Пробивна напруга діелектрика:
ε = 2,3 * 7,0/ (7,0 * 0,58 + 2,3* 0,42) = 3,2
Uпр.возд
= 7,0* 25 * 106 * 7
* 10-3 / 3,2= 382,8 * 103 (В)
Висновок:
в присутності діелектрика пробивна напруга
конденсатора та його діелектрична проникність
значно збільшується. При практичному
застосуванні прийшли до переконання,
що ізоляторний фарфор володіє великим
питомим електричним опіром, а також він
хімічно стійкий при застосуванні.
5.
ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ
НАПІВПРОВІДНИКІВ
В цьому завданні
необхідно вирішити дві задачі: 17 та 59
Задача
17
Знайти
положення рівня Фермі у
Розв’язок
EF=(1.43/2)+(276*10-23*ln0,5*
Задача
59
При напруженості електричного полю 150 В/м щільність струму крізь напівпровідник 2×104 А/м2. Визначити рухомість дірок провідності в напівпровіднику, якщо їх концентрація p = 2×1022 м-3. Електронної складової струму знехтувати.
Розв’язок
З закону Ома у диференціальній формі
J = e(nμn+pμp)E
Де е=1,6×10-19 (Кл) – заряд електрону;
J –щільність струму, (А);
n - концентрація електронів, (м-3);
p - концентрація дірок, (м-3);
mn - рухомість електронів, (м2/(В×с));
mp –
рухомість дірок, (м2/(В×с));
mp
= J/ е ·E·p = 2·10-4/(1.6·10-19·150·2·1022)
= 2·10-4/480·10-3 = 0.041 (м2/(В×с));
6.
РОЗРАХУНОК ПЛАВКОГО
ЗАПОБІЖНИКА
Завдання
№6
Площа поперечного перерізу плавкого запобіжника з матеріалу N в електричному колі з граничним струмом І=9A,площею S и діаметром D. Початкова температура запобіжника Tпоч=20 оС. Тепловіддачею в зовнішнє середовище знехтувати. Вважати, що час реакції запобіжника дорівнює 0,1 с. Питомий опір r= 0,0168 мкОм*м густина γ=8,92 мг/м3, температура плавлення Tпл=1083 оС, питома теплоємність с=386 Дж/(кг*К) матеріалу Cu запобіжника.
Знайти
площу S та діаметр D плавкого запобіжника?
Розв’язок
Дано:
Cu
γ=8,92 мг/м3 =
8,92*10-6 Кг/м3
Тпл=1083 Сْ =1356 К
Тпоч=20 Сْ =293 К
с=386 Дж/(кг*К)
I=9A
p=0,0168 мкОм*м =
0,0168*10-6 Ом*м
.
7.ВИЗНАЧЕННЯ СТАТИСТИЧНОЇ ТА ДИНАМІЧНОЇ ВІДНОСНОЇ МАГНІТНОЇ ПРОНИКНОСТІ ДЕЯКИХ МАГНІТНИХ МАТЕРІАЛІВ.
За основною кривою намагнічування матеріалу , наведеної на рис.1, побудуйте графіки залежності статичної і динамічної магнітної проникності від напруженості зовнішнього магнітного поля. Визначте статичну і динамічну проникність при напруженості магнітного поля 30А/м. Графік основної кривої намагнічування наведений у додатку 4.
Розв’язання:
Візьмемо декілька точок на кривій намагнічування і розрахуймо для них значення статистичної та динамічної проникності матеріалу, а потім побудуємо для цих значень графіки їх залежності від напруженості магнітного поля.
Визначимо статичну магнітну проникність матеріалу від напруженості зовнішнього магнітного поля.
Для цього скористаймось формулою (1):
, де
– магнітна стала.
1) ΔВ= 0,01(Тл), ΔН= , ( ) ;
2) ΔВ= 0,03(Тл), ΔН= 15 ( ) ;
3) ΔВ=0,05(Тл), ΔН=20 ( ) ;
4) ΔВ=0,1(Тл), ΔН=28 ( ) ;
5) ΔВ=0,14(Тл), ΔН=30 ( ) ;
При напруженості
магнітного поля Н=30 (
) статична магнітна проникність дорівнює
.