Микропроцессоры и микроЭВМ

k - разрядность  шины адреса,  определяет  размер  адресного  пространства.

(Например, микропроцессор i8088 характеризуется значениями m/n/k=16/8/20) 

3. Объем адресуемой  памяти –  максимальный  объем   памяти,  который  может

обслужить микропроцессор.

  32-х разрядный  микропроцессор может обслужить 64 Гб (4х109 байт)  памяти,

а 64-х разрядный  микропроцессор  может  обслужить  64  Тб  (64х1012  байт)

памяти.

4. Набор  дополнительных  инструкций  (Instruction  Set)  -  применяются   в

современных  CISC-микропроцессорах  и  способны  значительно  ускорить   их

работу. Естественно  только при условии поддержки  данных наборов со  стороны

приложения. Все  традиционные  современные  процессоры  поддерживают  набор

инструкций MMX, который  был самым первым (разработан корпорацией Intel  еще

в   1997   году).   MMX   расшифровывается   как   MultiMedia    eXtensions

(мультимедийные  расширения).  Он  представил  дополнительные  возможности,

ориентированные на  обработку  цифрового  изображения  и  звука.  В  основе

технологии лежит  концепция (микроархитектура) SIMD (Single Instruction Many

Data – "одна  команда, много данных"), когда   при  помощи  одной  инструкции

одновременно обрабатывается несколько элементов данных. SSE, SSE2, 3DNow! -

дальнейшее развитие этой идеи. Микропроцессоры Intel Pentium 3 поддерживают

SSE, а  Pentium  4  и  AMD  Athlon  64  еще  и  SSE2  (это  относится  и   к

соответствующим микропроцессорам Intel Celeron). Процессоры  AMD  Athlon  и

Duron поддерживают  наборы инструкций 3DNow!Professional и MMX, в Athlon  XP

была добавлена поддержка SSE (на уровне микрокода ядра). 

       Технологический  процесс   производства   (Process   Technology)   –

техпроцесс  определяет  размеры  элементов  и  соединений  между   ними   в

интегральной схеме. Измеряется в микрометрах  (0,35  ?m;  0,25  ?m;…).  Чем

меньше число, тем  меньше сам кристалл, следовательно,  меньше  потребляемая

мощность  и  тепловыделение.  А  ведь  тепловыделение  сильно  препятствует

увеличению частоты, на которой работает микропроцессор.  Где-то в 1997 году

произошел переход  с 0,25 ?m на 0,18 ?m технологию  производства.  А  уже  в

2001 году произошел  переход на 0,13 ?m технологию,  что   позволило  намного

увеличить частоту. Вот-вот произойдет переход на 0,09 ?m. 

      Производительность микропроцессора  определяется параметрами:

1. Тактовая частота  (Частота  ядра)  (Internal  clock)  –  это  количество

электрических импульсов  в  секунду.  Каждый  импульс  несет  в  себе  некую

информацию - это  могут быть команды процессору или  данные памяти.  Тактовая

частота задается кварцевым генератором - одним из блоков, расположенных  на

материнской плате. Тактовая частота кварцевого генератора  выдерживается  с

очень высокой  точностью и лежит в мега  или  гигагерцовом  диапазоне.  Один

герц - один импульс, один мегагерц - один миллион импульсов, один  гигагерц

- тысяча мегагерц. Микропроцессор, работающий на тактовой  частоте 800  МГц,

выполняет  800  миллионов  рабочих  тактов  в  секунду.  В  зависимости  от

сложности  обрабатываемой  команды   процессору   для   выполнения   задачи

необходимы сотни  и тысячи тактов. Но для выполнения простых операций бывает

достаточно одного такта. Чем выше тактовая частота  ядра, тем выше  скорость

обработки данных. Современные микропроцессоры работают на частотах  от  300

МГц до 4,7 ГГц.

2.  Частота системной  шины (System clock или Front Side  Bus)  –   системная

шина  служит  для  связи   микропроцессора   с   остальными   устройствами.

Микропроцессор  имеет две частоты: тактовая частота  ядра и частота системной

шины. Чем выше частота системной шины, тем выше  скорость  передачи  данных

между микропроцессором и остальными устройствами.  Частота  системной  шины

современных микропроцессоров от 66 МГц до 266МГц. 

3. Объем Кэш-памяти (Cache) – Кэш-память  быстрая   память  малой  емкости,

используемая процессором для  ускорения  операций,  требующих  обращения  к

памяти. Кеш –  промежуточное  звено  между  микропроцессором  и  опретивной

памятью. Различают  несколько уровней кэша: кэш первого  уровня  (L1)  -  кэш

команд  (инструкций)  которые  предстоит исполнить,  кэш первого   уровня

размещается на одном  кристалле с процессором. Кэш  второго уровня (L2) - кэш

данных - используется для ускорения операций с данными  (в  первую  очередь

чтения). На общую  производительность влияет размер кэша L2. Чем больше  L2,

тем дороже процессор, т.к.  память  для  кэша  еще  очень  дорога.  Поэтому

эффективнее увеличивать  частоту кэша, а для этого он должен находиться  как

можно ближе к  ядру процессора. Кэш-память может работать  на  частоте  1/4,

1/3, 1/2, 1/1  от  частоты ядра.  Современные микропроцессоры имеют кэш

объемом от 8 Кб до 5Мб. 

      Предельно эксплуатационные параметры  микропроцессоров:

1. Напряжение питания  микропроцессора  –   величина  питающего  напряжения

микропроцессоров  зависит от технологического процесса и  от  частоты  ядра.

Чем  меньше  кристалл  и  ниже  частота,  тем  меньше  напряжение  питания.

Напряжение питания  современных микропроцессоров от 0,5 В  до  3,5  В,  чаще

всего от 1,2 В до 1,75 В. 

2.  Ток ядра  – у современных микропроцессоров ток, протекающий через ядро

от 1 А до 90 А. 

3.  Потребляемая  мощность – зависит от величины  питающего напряжения и  от

частоты  ядра.  Чем  меньше  напряжение  питания  и  частота,  тем   меньше

потребляемая мощность. Мощность современных микропроцессоров от 1Вт до  120

Вт. Чаще всего  в пределах 40-70 Вт. 

4. Максимальная  температура нагрева кристалла   –  максимальная температура

кристалла,  при  которой  возможна  стабильная  работа  микропроцессора.  У

современных микропроцессоров она колеблется в пределах от 60?С до 95?С. 

      Физические параметры микропроцессорв  (Форм-фактор):

1.  Тип, размеры  корпуса

2.  Размеры кристалла

3.  Количество  выводов

4.  Форма расположения  выводов

      Микропроцессор AMD Duron 1100 (Morgan) 

|[pic]                              |[pic]                              |

|Вид сверху.                        |Вид снизу.                         | 

                                    [pic]

                                  Технология производства: 0,18 ?m

                            Количество выводов: 462

                            Площадь ядра: 106 мм2

                            Количество транзисторов: 25,2 млн

      Современные технологии полупроводникового  производства.

      В последние годы к стадии  возможности  использования  в  коммерческом

производстве подошел  целый ряд  технологий,  позволяющих  заметно  увеличить

скорость работы транзисторов, либо столько же заметно  уменьшить размер  чипа

без перехода на более  тонкий  технологический  процесс.  Некоторые  из  этих

технологий уже  начали применяться в течение  последних месяцев,  их  названия

упоминаются в  новостях, относящихся к компьютерам, все чаще.  Эта  статья  –

попытка сделать  краткий обзор подобных технологий, попытавшись  заглянуть  в

самое ближайшее возможное будущее чипов, находящихся в наших компьютерах.

Первая интегральная схема, где соединения между транзисторами  сделаны  прямо

на подложке, была сделана более 40 лет назад. За  это  время  технология  их

производства претерпела ряд больших и  малых  улучшений,  пройдя  от  первой

схемы Джека Килби  до  сегодняшних  центральных  процессоров,  состоящих  из

десятков миллионов  транзисторов, хотя для серверных  процессоров  впору  уже

говорить о сотнях миллионов.

Здесь пойдет речь о некоторых последних технологиях в этой  области,  таких,

как медные проводники в чипах, SiGe, SOI, перовскиты. Но сначала  необходимо

в  общих  чертах  затронуть  традиционный  процесс  производства  чипов   из

кремниевых пластин. Нет необходимости описывать  процесс превращения песка в

пластины, поскольку  все эти  технологии  не  имеют  к  столь  базовым  шагам

никакого отношения, поэтому начнем с  того,  что  мы  уже  имеем  кремниевую

пластину, диаметр  которой на большинстве  сегодняшних  фабрик,  использующих

современные технологии, составляет 20 см. Ближайшим шагом на ее  превращении

в чипы становится процесс окисления  ее  поверхности,  покрытия  ее  пленкой

окислов - SiO2,  являющейся  прекрасным  изолятором  и  защитой  поверхности

пластины при  литографии.

                                    [pic]

Дальше на  пластину  наносится  еще  один  защитный  слой,  на  этот  раз  -

светочувствительный, и происходит одна из ключевых  операций  -  удаление  в

определенных местах ненужных участков его и  пленки  окислов  с  поверхности

пластины, до обнажения  чистого кремния, с помощью фотолитографии.

На  первом  этапе  пластину  с  нанесённой   на   её   поверхность   плёнкой

светочувствительного  слоя помещают в установку  экспонирования,  которая  по

сути работает как фотоувеличитель. В качестве  негатива  здесь  используется

прецизионная маска - квадратная пластина кварцевого стекла покрытая  плёнкой

хрома  там,  где  требуется.  Хромированные  и  открытые  участки   образуют

изображение одного слоя одного чипа в масштабе 1:5. По  специальным знакам,

заранее сформированным  на  поверхности  пластины,  установка  автоматически

выравнивает пластину, настраивает фокус  и  засвечивает  светочувствительный

слой через  маску  и  систему  линз  с  уменьшением  так,  что  на  пластине

получается изображение  кристалла в масштабе 1:1. Затем  пластина  сдвигается,

экспонируется следующий  кристалл и так далее, пока не обработаются все  чипы

на пластине. Сама маска тоже  формируется  фотохимическим  способом,  только

засвечивание светочувствительного слоя при формировании маски происходит  по

программе электронным  лучом примерно также, как в телевизионном  кинескопе.

                                    [pic]