Расчет выходного каскада усилителя

Автор: Пользователь скрыл имя, 12 Января 2011 в 15:56, курсовая работа

Описание работы

Целью данной курсовой работы является проектирование бестрансформаторного выходного каскада усилителя на основе биполярных транзисторов. В задачу входит анализ исходных данных на предмет оптимального выбора типа электронных компонентов, входящих в состав устройства, и параметров его компонентов. Для разработки данного усилителя следует произвести предварительный расчёт и оценить тип основных элементов, а также необходимо рассчитать элементы связи.

Содержание

Введение ………………………………………………………………………………………….………….………….…..………..4
1. Выбор принципиальной схемы …………………………………………….…………………..………….....….. 5
2. Расчет выходного каскада……………………………….……………………….……….……………….……….…..9
1. Выбор выходных транзисторов......………………………….…………………………………...…….9
2. Выбор режима работы по постоянному току и построение линии нагрузки.....11
3. Выбор предвыходных транзисторов и режимов их работы по постоянному току Построение линии нагрузки .……………………………………………..…………….…………..…...13
4. Определение основных параметров выходного каскада ...............………………….15
5. Расчет элементов связи…………………………………………………………………..……….….….….19
3. Заключение………………………………………………….…………………………………………………….……….…..22

Работа содержит 1 файл

Курсач.docx

— 144.24 Кб (Скачать)

Аналогично выбору выходных транзисторов VT3(VT4) выбираем транзисторы VT1(VT2) КТ502В и КТ503В

Транзисторы подходят так как выполняются неравенства:

Iк доп> Iк1max= Ikm1+ Iok1≈ Iэm1+ Iоэ1=0,07 А

Uк доп>2,1* En=31,5 В

Pк доп>( Pн* Iбm3)/ Iкm3=0,23 Вт

Для построения линии  нагрузки по постоянному току транзисторов VT1(VT2) выбирают следующие координаты точек A’  и A’’ (см. рис.4)

A’(Iok1 ,En- Uoб3); A’’ (Iok1+Iкm1 ;En -Uоб3 – Ukm1) A’(0,02 А; 14.32 В) ; A’’(0,07 А;2,1В)

Рисунок 4. Посторение линии нагрузки транзистора VT1(VT2)

Перенеся соответствующие  значения токов базы на входную характеристику

(см. рис.5), определяем для транзисторов VT1(VT 2) :

U бт1=0.06В -амплитудное значение напряжение на базе;

I бт1=400 мкА -амплитудное значение тока базы;

I об1= 60 мкА  -ток покоя базы транзистора;

Uоб1 =0,63 В -напряжение покоя базы.

Рисунок 5. Определение параметров входного сигнала транзистора VT1(VT2)

    1. Определение основных параметров выходного каскада

Входное сопротивление  базоэмиттерного перехода транзистора VT1(VT2)

Rвх бэ1= U бт1/ I бт1=150 Ом

Входное сопротивление  верхнего и нижнего плеча выходного  каскада в силу комплементарности транзисторов можно считать одинаковыми, поэтому входное сопротивление выходного каскада

Rвх13≈ Rвх24≈ Rвх бэ1+(R3|| Rвх бэ3)*( Ikт1 /I бт1)+(Rн*( Ikт3/I бт1))=31 кОм

Амплитудное значение входного напряжения

UBKвх m= Uбт1+ Uбт3+ Ukт3=12,34 В

Требуемое падение  напряжения Uод1,2 на диодах VD1, VD2

Uод1,2 =2*U oб1+ U oб3=1,94 В

      Так как величина напряжения Uод1,2 получается больше (0,8-1,6)В, то необходимо включать последовательно 4 диода КД509А.

      Диод  КД509А имеет следующие параметры:

  • постоянное обратное напряжение - 50В;
  • постоянный обратный ток - 5 мкА;
  • постоянный прямой ток - 100 мА;

Строим суммарную  вольтамперную характеристику 4-х  последовательно включенных диодов и по ней определяет необходимый ток через диоды (рис.6)

 

Сопротивление R1 и R2 делителя напряжения

R1=R2=(2En-Uод)/ Iод=9,4 кОм

Входные сопротивления  верхнего и нижнего плеч каскада  с учетом шунтирующего действия резисторов R1 и R2

RBKвх=(R1||R2)||Rвх13=4,08 кОм

Среднее значение коэффициента усилиния по напряжению выходного каскада

КuВК= Ukm3/ UBKвх m=0,97

Среднее значение амплитуды  входного тока выходного каскада

IВКвх m= UBKвх m/ RBKвх=2,9 мА

Можность сигнала на входе выходного каскада

PВКвх=0,5*( UBKвх m* IВКвх m)=36 мВт

Коэффициент полезного  действия всего каскада

Ƞ=Pн/[2En(Iок3+ Iод+ Iок1+(1/π)( Ikт1+ Ikт3)]=0,63≈63%

Уточненое значение мощности, рассеиваемой одним транзистором VT3(VT4)

Pк3max =0,1*((Uн)2/ Rн)+ En Iок3=3,5 Вт

Тепловое сопротивление  корпус среда

Rtк-с=( tkmax- tв)/ Pк3max=2,7 oC/Вт

Где Rt п-к- тепловое сопротивление подложка- корпус

Площадь радиатора

S=1/( Кт* Rtк-с)=283см2

Где Кт=(0.0012-0.014), Вт см-2 град-1 –коэффициент теплоотдачи

    1. Расчет элементов связи

Целью данного расчета  является определение величин емкостей разделительных конденсаторов С1 иС2.

На практике фазовый  сдвиг υ2, вносимый конденсатором С2, трудно сделать малым из-за небольшой величины сопративления нагрузки Rн. Для минимизации величины емкости конденсатора принимают:

υ1=(0,2-0,3) υдоп=4 град

υ2=(0,7-0,8) υдоп=16 град

Рассчитаем емкости  разделительных конденсаторов:

С1=1/(2πfн(RBKвх+ Rr)*tg υ1)=9,2 мкФ

С1=1/(2πfнRн*tg υ2)=1,3 мФ 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Заключение

В данном курсовом проекте  было спроектирован усилитель низкой частоты, который отвечает всем параметрам, заданным в техническом условии. Коэффициент полезного действия спроектированного усилителя низкой частоты превышает заданное нам по условию значение, что гарантирует эффективную работоспособность устройства.

В результате работы рассчитан графо-аналитическим методом выходной каскад усилителя. Расчитаны элементы связи в качестве которых использовались разделительные конденсаторы. Определили электрические параметры выходного каскада по переменному току: входное сопротивление RBKвх, коэффициент усиления по напряжению КuВК, амплитуды входного тока IВКвх m и напряжения UBKвх m.

Информация о работе Расчет выходного каскада усилителя