Автор: Пользователь скрыл имя, 22 Января 2012 в 11:39, курсовая работа
В данной работе мы производим расчет бестрансформаторного выходного каскада (усилителя мощности) переменного тока на транзисторах. А именно: выбираем выходные транзисторы; подбираем режим работы по постоянному току; выбираем предвыходные транзисторы и режимы их работы по постоянному току; определяем основные параметры выходного каскада; рассчитываем элементы связи.
Введение ………………………………………………………………………………………….………….………….…..………..4
1. Выбор принципиальной схемы …………………………………………….…………………..………….....….. 5
2. Расчет выходного каскада……………………………….……………………….……….……………….……….…..9
2.1. Выбор выходных транзисторов......………………………….…………………………………...…….9
2.2. Выбор режима работы по постоянному току и построение линии нагрузки.....11
2.3. Выбор предвыходных транзисторов и режимов их работы по постоянному току Построение линии нагрузки .……………………………………………..…………….…………..…...13
2.4. Определение основных параметров выходного каскада ...............………………….15
2.5. Расчет элементов связи…………………………………………………………………..……….….….….19
3. Заключение………………………………………………….…………………………………………………….……….…..22
Аналогично выбору выходных транзисторов VT3(VT4) выбираем транзисторы VT1(VT2) КТ814В и КТ815В
Транзисторы подходят
так как выполняются
Iк доп> Iк1max= Ikm1+ Iok1≈ Iэm1+ Iоэ1=0,179 А
Uк доп>2,1* En=37.8 В
Pк доп>( Pн* Iбm3)/ Iкm3=0,829 Вт
Для построения линии нагрузки по постоянному току транзисторов VT1(VT2) выбирают следующие координаты точек A’ и A’’ (см. рис.4)
A’(Iok1 ,En- Uoб3); A’’ (Iok1+Iкm1 ;En -Uоб3 – Ukm1) A’(0,084 А; 17.45 В) ; A’’(0,226 А;3.45В)
Рисунок 4. Посторение линии нагрузки транзистора VT1(VT2)
Перенеся соответствующие значения токов базы на входную характеристику
(см. рис.5), определяем для транзисторов VT1(VT 2) :
U бт1=0.15В -амплитудное значение напряжение на базе;
I бт1=5.3 мА -амплитудное значение тока базы;
I об1= 0.8 мА -ток покоя базы транзистора;
Uоб1 =0,7 В -напряжение покоя базы.
Рисунок 5. Определение параметров входного сигнала транзистора VT1(VT2)
Входное сопротивление базоэмиттерного перехода транзистора VT1(VT2)
Rвх бэ1= U бт1/ I бт1=187.5 Ом
Входное сопротивление верхнего и нижнего плеча выходного каскада в силу комплементарности транзисторов можно считать одинаковыми, поэтому входное сопротивление выходного каскада
Rвх13≈ Rвх24≈ Rвх бэ1+(R3|| Rвх бэ3)*( Ikт1 /I бт1)+(Rн*( Ikт3/I бт1))= 538.5 кОм
Амплитудное значение входного напряжения
UBKвх m= Uбт1+ Uбт3+ Ukт3=14.7 В
Требуемое падение напряжения Uод1,2 на диодах VD1, VD2
Uод1,2 =2*U oб1+ U oб3=2.05 В
Так как величина напряжения Uод1,2 получается больше (0,8-1,6)В, то необходимо включать последовательно 4 диода КД509А.
Диод КД509А имеет следующие параметры:
Строим суммарную вольтамперную характеристику 4-х последовательно включенных диодов и по ней определяет необходимый ток через диоды (рис.6)
Сопротивление R1 и R2 делителя напряжения
R1=R2=(2En-Uод)/ Iод=8.48 кОм
Входные сопротивления верхнего и нижнего плеч каскада с учетом шунтирующего действия резисторов R1 и R2
RBKвх=(R1||R2)||Rвх13=4,4 кОм
Среднее значение коэффициента усилиния по напряжению выходного каскада
КuВК= Ukm3/ UBKвх m=0,95
Среднее значение амплитуды входного тока выходного каскада
IВКвх m= UBKвх m/ RBKвх=3.34 мА
Можность сигнала на входе выходного каскада
PВКвх=0,5*( UBKвх m* IВКвх m)=24.5 мВт
Коэффициент полезного действия всего каскада
Ƞ=Pн/[2En(Iок3+ Iод+ Iок1+(1/π)( Ikт1+ Ikт3)]=0,49≈49%
Уточненое значение мощности, рассеиваемой одним транзистором VT3(VT4)
Pк3max =0,1*((Uн)2/ Rн)+ En Iок3=5.48 Вт
Тепловое сопротивление корпус среда
Rtк-с=( tkmax- tв)/ Pк3max=1.35 oC/Вт
Где Rt п-к- тепловое сопротивление подложка- корпус
Площадь радиатора
S=1/( Кт* Rtк-с)=1038см2
Где Кт=(0.0012-0.014), Вт см-2 град-1 –коэффициент теплоотдачи
Целью данного расчета является определение величин емкостей разделительных конденсаторов С1 иС2.
На практике фазовый сдвиг υ2, вносимый конденсатором С2, трудно сделать малым из-за небольшой величины сопративления нагрузки Rн. Для минимизации величины емкости конденсатора принимают:
υ1=(0,2-0,3) υдоп=5 град
υ2=(0,7-0,8) υдоп=15 град
Рассчитаем емкости разделительных конденсаторов:
С1=1/(2πfн(RBKвх+ Rr)*tg υ1)=3.05 мФ
С1=1/(2πfнRн*tg
υ2)=1.49
мФ
Заключение
В данном курсовом проекте было спроектирован усилитель низкой частоты, который отвечает всем параметрам, заданным в техническом условии. Коэффициент полезного действия спроектированного усилителя низкой частоты превышает заданное нам по условию значение, что гарантирует эффективную работоспособность устройства.
В результате работы рассчитан графо-аналитическим методом выходной каскад усилителя. Расчитаны элементы связи в качестве которых использовались разделительные конденсаторы. Определили электрические параметры выходного каскада по переменному току: входное сопротивление RBKвх, коэффициент усиления по напряжению КuВК, амплитуды входного тока IВКвх m и напряжения UBKвх m.