Методы тестирования (проверки работоспособности ) конденсаторов, диодов, стабилитронов, транзисторов и т.д .

 Прибор должен  находиться в закрытом состоянии. + U тест при этом равно 12 В.  

При тестировании симисторов следует повторить п.п. 2, 3, и R 2 при этом должен быть запитан от отрицательного полюса источника питания. Результат такого тестирования позволяет убедиться в исправности прибора. Тем не менее окончательным результатом тестирования следует считать исправную работу полупроводникового прибора в том устройстве, где он установлен. Динисторы (по другому их называют еще диаки и сидаки) не имеют вывода УЭ, и они открываются при превышении напряжения на аноде некоторого значения, указываемого в параметрах на данный тип прибора. Как было сказано выше, проверка с использованием мультиметра достоверного результата не дает. Для того, чтобы точно знать исправен динистор или нет, его следует проверить, включив в испытательную схему (рис. 9), которая питается от регулируемого источника напряжения переменного тока.  

Диод D 1 представляет собой однополупериодный выпрямитель, конденсатор С1 — сглаживающий, резистор R 1 ограничивает ток через динистор. При провер ке следует плавно увеличивать напряжение на динисторе. При достижении некоторого порогового значения он откроется, при уменьшении напряжения по достижении протекающего тока значения заданного тока удержания — закроется. После такой проверки необходимо ее повторить, изменив полярность приложен ного к динистору напряжения. При проверке в качестве источника напряжения переменного тока во избежание опасности поражения следует использовать трансформатор.

Определение структуры  и расположения выводов транзисторов , тип которых неизвестен  

При определении  структуры транзистора, тип которого неизвестен, следует путем перебора (шесть вариантов) определить вывод базы, а затем измерить прямое напряжение на переходах. Прямое напряжение на переходе Б-Э всегда на несколько милливольт выше прямого напряжения на переходе Б-К (при пользовании АММ сопротивление перехода Б-Э в прямом направлении несколько выше сопротивления перехода Б-К). Это связано с технологией производства транзисторов, и правило применимо к обыкновенным биполярным транзисторам, за исключением некоторых типов мощных транзисторов, имеющих встроенный демпферный диод. Полярность щупа мультиметра, подключенного при измерени ях на переходах в прямом направлении к базе транзистора укажет на тип транзистора: если это "+" — транзистор структуры п-р-п, если "-" — структуры р-п-р.

Тестирование  полевых МОП - транзисторов  

Существует несколько разных способов тестирования полевых МОП-транзисторов. Например такой:  

•  Проверить  сопротивление между затвором —  истоком (3-И) и затвором — стоком (3-С). Оно должно быть бесконечно большим.  

•  Соединить  затвор с истоком. В этом случае переход исток — сток (И-С) должен прозваниваться как диод (исключение для МОП-транзисторов, имеющих встроен- ную защиту от пробоя — стабилитрон с определенным напряжением пробоя).Характерной неисправностью полевых МОП-транзисторов является короткое замыкание 3-И и 3-С. Другим способом является использование двух омметров. Первый включается для измерения между И-С, второй — между И-3. Второй омметр должен иметь высокое входное сопротивление — около 20 МОм и напряжение на выводах не менее 5 В. При подключении второго омметра в прямой полярности транзистор. 

откроется (первый омметр покажет сопротивление близкое  к нулю), при изменении полярности на противоположную транзистор закроется. Недостаток этого способа — требования к напряжению на выводах второго  омметра. Естественно, ЦММ для этих целей не подходит. Это ограничивает применение такого способа тестирования.  

Еще один способ похож на второй. Сначала кратковременно соединяют между собой выводы 3-И для того, чтобы снять имеющийся  на затворе заряд. Далее к выводам  И-С подключают омметр. Берут батарейку напряжением 9 В и кратко временно подключают ее плюсом к затвору, а минусом — к истоку. Транзистор откроется и будет открыт некоторое время после отключения батарейки за счет сохранения заряда. Большинство полевых МОП-транзисторов открывается при напряжении 3-И около 2 В.  

При тестировании полевых МОП-транзисторов следует  соблюдать особую осто рожность, чтобы  не вывести его из строя статическим  электричеством.

Тестирование  светодиодов  

Электрическая проверка исправности светодиодов видимого и инфракрасного (ИК) излучения аналогична проверке обычных диодов. Отличие заключается в их более высоком прямом напряжении при тестировании с использованием ЦММ. Типовыми значениями прямого напряжения на переходе являются:  

•  для ИК диодов 1,2 В;  

•  для светодиодов  красного свечения 1,85 В;  

•  для светодиодов  желтого свечения 2 В;  

•  для светодиодов  зеленого свечения 2,15 В;  

•  для светодиодов  синего свечения около 3 В.  

Это средние  значения, которые могут отличаться на 0,5...0,6 В, и способ нельзя назвать надежным при определении цвета свечения светодиода по прямому напряжению на его переходе.

Тестирование  оптопар  

Любая оптопара состоит из двух частей — источника  излучения (обычно ИК светодиод) и фотоприемника, который открывается при работе источника излуче ния, — фотодиода, фототранзистора, фототиристора. Для проверки исправности оптопары можно использовать схему, изображенную на рис. 10.  

 При подаче  напряжения на вывод светодиода  фотодиод открывается, и выходное напряжение становится равным 0 В. В закрытом состоянии фотодиода оно равно напряжению источника питания.  
 

Тестирование  термисторов  

Термисторы (терморезисторы) являются одним из видов полупроводниковых  приборов. Одной из главных характеристик  термистора является температурный коэффициент сопротивления (ТКС). Существуют термисторы двух видов — с положительным ТКС (сопротивление термистора растет с увеличением температуры) и с отрицательным ТКС (сопротивление термистора с ростом температуры уменьшается). Для проверки следует подключить к выводам термистора омметр и следить за изменением его сопротив ления при нагреве. Для этого можно подержать его над паяльником или исполь зовать другой способ нагрева. Если термистор неисправен, его сопротивление либо не будет изменяться, либо будет равно нулю, либо — бесконечности. Тем не менее, при проверке термисторов следует учитывать их функциональное назначение в тех схемах, где они работают.  
 
 

Тестирование  стабилитронов  

Стабилитроны  при их проверке с использованием АММ ведут себя как обычные диоды. Проверить их при помощи ЦММ можно только если напряжение стабили зации стабилитрона составляет доли вольта. В противном случае ЦММ показы вает разрыв цепи. Наиболее надежный способ — проверка напряжения стабили зации стабилитрона в схеме (рис. 11).  

Рис. 11  

Значение резистора R 2 справедливо для стабилитронов  с напряжением стабили зации  до 20 В. В любом случае рассчитать его несложно, имея под рукой справочник. I ст— справочное значение тока стабилизации:  

R = U ист Наиболее часто встречающейся неисправностью является пробой стабилитрона.

Расположение  выводов транзисторов  

При тестировании транзисторов необходимо знать их расположение выводов. Наиболее точную информацию дает справочник. Однако, если сузить вопрос наиболее часто встречающимися неисправностями транзисторов, то можно сказать, что наиболее часто выходят из строя транзисторы выходных каскадов строчной развертки, выходных каскадов усилителей мощности радиопередающих устройств и транзисторы блоков питания. Транзисторы для выходных каскадов строчной развертки выпускаются в основном в корпусах двух типов: металлическом ТО-3 и пластмассовом — ТО-ЗР.На рис. 12 изображено расположение выводов для корпуса ТО-3 (вид снизу) и корпуса ТО-ЗР (вид со стороны маркировки). Следует помнить, что у таких транзисторов, имеющих встроенный демпферный диод сопротивление между Б-Э в обратном направлении будет около 50 Ом, и транзистор считается исправным, если измеренное значение сопротивления составляет не менее 10 Ом. В оконечных каскадах усилителей мощности чаще всего применяются транзисторы в металлокерамических корпусах с крестообразным расположением выводов (рис. 13). В некоторых радиоэлектронных приборах в оконечных каскадах усилителей мощности передающих устройств и устройствах электропитания используются транзисторы в корпусах для поверхностного монтажа ( SOT 23, SOT 323 и т.д.). Чаще всего они имеют расположение выводов, изображенное на рис.14. Оно может быть либо нормальным (изображение слева), либо обратным (изображение справа).  
 

http://pryriz.org.ua/testirovanie/testirovanie.htm