Автор: Пользователь скрыл имя, 28 Февраля 2013 в 19:37, курсовая работа
Курсовой проект выполнен в объеме 32 страниц, содержит двенадцать рисунков, использовано 4 источника. Разработанный генератор пилообразного напряжения может быть использован в контрольно-измерительной аппаратуре, в цифро-аналоговых преобразователях и т. п. При проектировании были разработаны и рассчитаны интегратор на ОУ, симметричный мультивибратор, ключевое устройство и эмиттерный повторитель. Полученные параметры выходных значений напряжения и тока удовлетворяют требованиям техническому заданию.
Введение 2
1 Основная часть 3
1 Выбор и обоснование структурной схемы устройства 3
1.1 Общая характеристика и принципы построения генераторов 3
1.2 Структурная схема генератора пилообразного напряжения 5
2 Расчетная часть 7
2.1 Выбор и обоснование принципиальной схемы устройства 7
2.1.1 Простейший генератор пилообразного напряжения (ГПН) 7
2.1.2 Классификация ГПН со стабилизаторами тока 10
2.1.3 Генераторы пилообразного напряжения на операционных усилителях. Содержание схемы разрабатываемого устройства 12
2.2 Расчет элементов устройства, выбор типов и номиналов. 18
2.2.1 Расчет токостабилизирующего элемента (ТСЭ) 18
2.2.2 Расчет симметричного мультивибратора на ОУ (СМВ) 20
2.2.3 Расчет ключевого устройства (КУ) 21
2.2.4 Расчет эмиттерного повторителя 22
2.2.5 Расчет коэффициента полезного действия КПД 25
3 Конструкторская часть 26
Заключение 28
Список используемых источников 29
Исходя из формулы (2.1.9) находим частоту следования импульсов пилообразного напряжения
f = 1/T, T=2tпр,
где tпр – длительность рабочего хода равная длительности управляющего импульса. Период колебаний мультивибратора равен 2tпр т.к. мультивибратор симметричный, подставив значения получим:
f=5Гц.
Резистор ПОС R3 обычно выбирают порядка 100кОм, резистор ООС R2=R1=50кОм, тогда коэффициент ОС æ будет определяться по формуле
æ =R1/R1+R3
æ =0,33<< æдоп,
где æдоп – допустимый коэффициент обратной связи в СМВ;
æдоп≤ Uдиф/2Uвыхmax=11/24=0,45
Рассчитаем скорость нарастания сигнала на выходе ОУ. Приняв tф=0,1·tи, тогда
VUВЫХ =2Uвыхmax/tф = 24/10=2,4В/мс=0,0024В/мкс
К рассчитанным параметрам выбираем ОУ К140УД6А параметры, которого даны в таблице 1.
Из формулы (2.1.13) найдем емкость конденсатора С1 времязадающей цепи
С1=
= 5,77мкФ
находим ближайший номинал С1=5,6мкФ серии К73-16. Сопротивление нагрузки R4 возьмем 10кОм, при напряжении Uвых=12В выходной ток не превышает допустимого тока для данного ОУ (п.2.2.1).
Ключевое устройство реализовано на биполярном транзисторе n-p-n структуры управляемый импульсами положительной полярности. Из выходной цепи СМВ выходят импульсы как положительной так и отрицательной полярности. Транзистор КУ будет насыщен (открыт) при положительных полупериодах Uвх, а при отрицательных находится в режиме отсечки (закрыт), при этом фронт пилообразного напряжения будет формироваться в момент времени действия отрицательного импульса на входе КУ. Поскольку коллекторная нагрузка R6=39кОм, необходимо рассчитать сопротивление R5 в базовой цепи транзистора VT1. Найдем его значение из формулы (2.1.7).
R5≤( U1вх –Uб нас)/Iб нас,
где Iб нас = Iк нас/βmin;
Iк нас≈Eи.п./Rк.
UБ нас=0,7В для кремниевых планарных транзисторов
Iк нас=15/39000==0,38 мА.
Выберем из справочника /3/ n-p-n транзистор серии КТ315А с параметрами, приведенными в таблице 2.
Таблица 2 - Параметры транзистора КТ315А
Максимальный ток коллектора Iкmax, мА |
100 |
Максимальная рассеиваемая мощность Ркmaх, мВт |
150 |
Структура |
n-p-n |
Напряжение коллектор-эмиттер Uкэ, В |
25 |
Коэффициент усиления потоку β |
20..90 |
Подставив данные получим:
Iб нас=0,38/20=0,019мА.
R5≤(12-0,8)/0,019 =589 Ом.
Выберем номинал резистора R5=560 Ом.
PR5 = IR52·R5; IR5= UБ нас/R5;
IR5=0,7/560=0,00125А;
PR5 = (0,00125)2·560 ≈0,88мВт.
Выбираем резистор R5 типа МЛТ-0,125-560 Ом ± 10%.
Транзистор VT2 включен по схеме с общим коллектором (ОК), имеющий коэффициент усиления по напряжению примерно равную единице, и значительно меньшее по сравнению со входным выходное сопротивление. Нагрузка повторителя R8=15 Ом включена в эмиттерную цепь VT2. Транзистор VT2 p-n-p структуры открывается он при отрицательном входном напряжении.
Входное сопротивление ЭП рассчитаем по формуле описанной в /1/
Rвх=(β+1)/(Rн+1/gm),
где β – коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ; gm – крутизна усилительной характеристики транзистора.
gm= Iэ/φт, где φт≈0,025В - изменение напряжения (не критично).
Определим ток эмиттера, имеем:
γ= β+1,
где γ – коэффициент усиление по току в схеме с ОК; β – коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ. При Uвых.max = 12В и Rн=15 Ом ток в нагрузке Iн=0,8А. Таким образом Iэ=Iн=0,8А. Отсюда находим необходимый коэффициент усиления по току γ в схеме с ОК:
γ = 800/5=160
коэффициент усиления потоку с ОЭ:
β=(160-1)=159
подставив значения получаем:
Rвх=(159+1)(15+1/(0,8/0,025))=
т.е. входное сопротивление ЭП примерно равно сопротивлению нагрузки ОУ (R7).
Таблица 3 – Параметры транзистора КТ826А
Максимальный ток коллектора Iкmax, А |
1 |
Максимальная рассеиваемая мощность Ркmaх, Вт |
15 |
Структура |
p-n-p |
Напряжение коллектор-эмиттер Uкэ, В |
700 |
Коэффициент усиления потоку β |
160..300 |
Определим рассеиваемую мощность на резисторе PR8
PR8 = IR82·R7;
PR8 = (0,8)2·15 ≈ 9,6 Вт
Выбираем резистор R8 типа ПЭВ-10-15 Ом ± 5%.
Мощность рассеиваемая на коллекторе VT2:
PVT2=Uкэ·Iк=(15-12)·0,795=2,
Iк=αIэ; α=β/ β+1=0,993
Iк=0,993·0,8=0,795А
Параметры транзистора VT2 полностью подходят по рассчитанным величинам (таблица 3).
Определим коэффициент нелинейности по формуле:
ε=
где iнач. – начальный ток; iконч.- конечный ток.
Подставив значения находим ε
ε≈0,02.
При данных номиналах элементов получаются следующие параметры устройства: минус 12В; сопротивление нагрузки 15 Ом; коэффициент нелинейности около 2%; частота следования импульсов 5 Гц; длительность линейного участка импульса (фронта) 97·10-2 с; длительность спада (восстановления) 819·10-6с; КПД устройства 80%; напряжение питания двуполярное ±15В;
η=
где Pпотр- мощность потребляемая всем устройством; Pвых- выходная мощность устройства.
Рассчитаем потребляемую мощность всего устройства. Потребляемы токи ОУ DA1 и DA2 возьмем из таблицы 1. Токи потребляемые ключевым устройством (КУ) и эмиттерным повторителем (ЭП) будут равны соответственно токам нагрузок этих каскадов.
Pпотр=
Pвых=Uвых·Iвых
Pпотр=2,8·15+2,8·15+0,38·15+
Pвых=15·0,8=9,6Вт
η=80%.
КПД разрабатываемого устройства составило 80%.
В результате разработки структурной и принципиальной электрической схем генератора пилообразного напряжения была дополнительно разработана печатная плата с 70×110 мм с соответствующими навесными радиоэлементами. Резистор нагрузки R8 расположен вне печатной платы поскольку имеет большие габариты. При конструировании печатной платы учитывался ряд особенностей:
1)для уменьшения паразитных емкостей, индуктивностей и наводок верхнюю часть фольгированного медного слоя платы необходимо подключить к земляной шине;
2) выходной нулевой шиной считать объединенные в одной точке входную и выходную шины;
3)максимальное увеличение
Печатная плата выполнена из двустороннего фольгированного стеклотекстолита толщиной 1,5-2 мм фотохимическим методом. Пайка выводов элементов выполнена припоем ПОС-61. Шаг координатной сетки 2,5 мм.
В данной курсовой работе разработано устройство генератора линейно спадающего напряжения имеющего следующие параметры: выходное напряжение около минус 12В; сопротивление нагрузки 15 Ом; коэффициент нелинейности около 2%; частота следования импульсов 5 Гц; длительность линейного участка импульса (фронта) 97·10-2 с; длительность спада (восстановления) 819·10-6с; КПД устройства 80%; напряжение питания двуполярное ±15В.
Достоинством данной схемы является возможность плавного изменения длительности фронта напряжения пилообразного сигнала с помощью СМВ частота управляющих импульсов, которого легко изменяема резистором ООС, например переменным резистором. Интегрирующий узел при этом остается неизменным.