Автор: Пользователь скрыл имя, 05 Января 2012 в 15:41, реферат
В основе метода положен принцип осаждения частиц (атомов, ионов, кластеров) на поверхности изделий в вакууме из плазмы, генерируемой тем или иным способом. При этом объемные свойства обрабатываемых изделий не нарушаются, а изменяются свойства поверхности, придавая ей требуемые функциональные характеристики.
ВВЕДЕНИЕ
1. ХАРАКТЕРИСТИКА ПРОЦЕССА ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО НАНЕСЕНИЯ
2. ИОННОЕ ОСАЖДЕНИЕ МАТЕРИАЛОВ
3. РЕАКТИВНОЕ ИОННО-ПЛАЗМЕННОЕ НАНЕСЕНИЕ МАТЕРИАЛОВ
4. РАЗНОВИДНОСТИ ПРОЦЕССА ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК
4.1 УСТРОЙСТВА КАТОДНОГО РАСПЫЛЕНИЯ НА ПОСТОЯННОМ ТОКЕ
4.2 ТРИОДНЫЕ УСТРОЙСТВА ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО НАНЕСЕНИЯ
4.3 УСТРОЙСТВА ВЫСОКОЧАСТОТНОГО РАСПЫЛЕНИЯ
4.4 МАГНЕТРОННЫЕ РАСПЫЛИТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ
4.5 ИОННО-ЛУЧЕВОЕ РАСПЫЛЕНИЕ
5. ИОННО-ЛУЧЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК
5.1 ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК ИЗ ИОННЫХ ПУЧКОВ
5.2 РЕАКТИВНЫЙ ИОННО-ЛУЧЕВОЙ СИНТЕЗ ТОНКИХ ПЛЕНОК
6. ИОННО-ПЛАЗМЕННОЕ НАПЫЛЕНИЕ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ